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IRFZ44ND Datasheet

  • IRFZ44ND

  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | ...

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IRFZ44ND
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Die
V
DS
55V
R
DS(ON)
20m鈩?/div>
I
D
49A
Chip Geometry
Source
Gate
CH
EN ET
T
R N
F
duct
G
E
ew Pro
N
TM
G
D
S
Physical Characteristics
鈥?Die size : 4040
X
1890碌m (159
X
74.4 mils)
鈥?Metalization:
Top: Al/Si/Cu
Back: Ti/Ni/Ag
鈥?Metal Thickness:
Top: 3.0碌m
Back: 1.4碌m
鈥?Die thickness: 9 - 13 mils
鈥?Bonding Area:
Source: Full metalized surface of source region
Gate: 407 x 506碌m
鈥?Recommended Wire Bonding:
Source: 12 mil
鈭?/div>
Al wire (2 wires preferred)
Gate: 5 mil
鈭?/div>
Al wire
Note:
More source wires can further improve performance
Features
鈥?Dynamic dv/dt Rating
鈥?Repetitive Avalanche Rated
鈥?175擄C Operating Temperature
鈥?Ease of Paralleling
鈥?Fast Switching for High Efficiency
鈥?Simple Drive Requirements
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
(T
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
V
GS
=10V
Pulsed Drain Current
(1)
A
= 25擄C unless otherwise noted)
Symbol
V
DS
V
GS
T
C
= 25擄C
T
C
= 100擄C
I
D
I
DM
T
C
= 25擄C
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
J
, T
stg
R
胃JC
R
胃JA
Limit
55
Unit
V
V
鹵
20
49
35
160
94
210
25
11
鈥?5 to 175
1.6
62
A
W
mJ
A
mJ
擄C
擄C/W
Maximum Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Operating Junction and Storage Temperature Range
Junction-to-Case Thermal Resistance
Junction-to-Ambient Thermal Resistance
Notes:
(1) Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature
(2) V
DD
= 25V, starting T
J
= 25擄C, L = 470碌H, R
G
= 25鈩? I
AS
= 25A
(3) Maximum ratings are based on die packaged in TO-220. Actual ratings
may vary depending on actual assembly method used.
5/8/01

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  • 型號
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  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 7.2A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
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    IRF [Inter...
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    ETC
  • 英文版
    HEXFET Power MOSFET
    IRF
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    IRF [Inter...
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    IRF [Inter...
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    HEXFET TRANSISTORS
    IRF
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS
    IRF [Inter...
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    (166.12 k)
    ETC
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    Power Field Effect Transistors
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