音影先锋亚洲天堂网|电影世界尽头的爱完整版播放|国产 熟女 91|高清无码免费观看欧美日韩|韩国一区二区三区黄色录像|美女亚洲加勒比在线|亚洲综合网 开心五月|7x成人在线入口|成人网站免费日韩毛片区|国产黄片?一级?二级?三级

IRFU9310PBF Datasheet

  • IRFU9310PBF

  • HEXFET POWER MOSFET

  • 10頁

  • IRF

掃碼查看芯片數(shù)據(jù)手冊

上傳產(chǎn)品規(guī)格書

PDF預(yù)覽

PD - 95064A
P-Channel
l
Surface Mount (IRFR9310)
l
Straight Lead (IRFU9310)
l
Advanced Process Technology
l
Fast Switching
l
Fully Avalanche Rated
l
Lead-Free
Description
l
IRFR9310PbF
IRFU9310PbF
D
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
= -400V
R
DS(on)
= 7.0鈩?/div>
S
G
I
D
= -1.8A
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely
efficient and reliable device for use in a wide variety of
applications.
The D-Pak is designed for surface mounting using
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.
The straight lead version (IRFU series) is for through-
hole mounting applications. Power dissipation levels
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount
applications.
D-Pak
TO-252AA
I-Pak
TO-251AA
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy聜
Avalanche Current聛
Repetitive Avalanche Energy聛
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
-1.8
-1.1
-7.2
50
0.40
鹵 20
92
-1.8
5.0
-24
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)**
Junction-to-Ambient
Typ.
聳聳聳
聳聳聳
聳聳聳
Max.
2.5
50
110
Units
擄C/W
www.irf.com
1
1/10/05

IRFU9310PBF 產(chǎn)品屬性

  • IRFR9310, IRFU9310

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 400V

  • 1.8A

  • 7 歐姆 @ 1.1A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 13nC @ 10V

  • 270pF @ 25V

  • 50W

  • 通孔

  • TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • TO-251AA

  • 管件

  • *IRFU9310PBF

IRFU9310PBF相關(guān)型號PDF文件下載

  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL

掃碼下載APP，
一鍵連接廣大的電子世界。

在線人工客服

買家服務(wù)：
賣家服務(wù)：
技術(shù)客服：

0571-85317607

網(wǎng)站技術(shù)支持

13606545031

客服在線時間周一至周五
9:00-17:30

關(guān)注官方微信號，
第一時間獲取資訊。

建議反饋

聯(lián)系人：

聯(lián)系方式：

按住滑塊，拖拽到最右邊
>>
感謝您向阿庫提出的寶貴意見，您的參與是維庫提升服務(wù)的動力！意見一經(jīng)采納，將有感恩紅包奉上哦！