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IRFR110 Datasheet

  • IRFR110

  • 4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

  • 60.04KB

  • Intersil   Intersil

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IRFR110, IRFU110
Data Sheet
July 1999
File Number
3275.3
4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power
MOSFETs
These are N-Channel enhancement mode silicon gate
power 鏗乪ld effect transistors designed, tested, and
guaranteed to withstand a speci鏗乪d level of energy in the
breakdown avalanche mode of operation. These advanced
power MOSFETs are designed for use in applications such
as switching regulators, switching converters, motor drivers,
relay drivers and drivers for high-power bipolar switching
transistors requiring high speed and low gate-drive power.
These transistors can be operated directly from integrated
circuits.
Formerly developmental type TA17441.
Features
鈥?4.7A, 100V
鈥?r
DS(ON)
= 0.540鈩?/div>
鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated
鈥?SOA is Power Dissipation Limited
鈥?Nanosecond Switching Speeds
鈥?Linear Transfer Characteristics
鈥?High Input Impedance
鈥?175
o
C Operating Temperature
鈥?Related Literature
- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards鈥?/div>
Ordering Information
PART NUMBER
IRFU110
IRFR110
PACKAGE
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
IFU110
IFR110
Symbol
D
NOTE: When ordering, use the entire part number.
G
S
Packaging
JEDEC TO-251AA
SOURCE
DRAIN
GATE
JEDEC TO-252AA
GATE
SOURCE
DRAIN (FLANGE)
DRAIN (FLANGE)
4-371
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.
http://www.intersil.com or 407-727-9207
|
Copyright
漏
Intersil Corporation 1999

IRFR110 PDF文件相關(guān)型號(hào)

IRFU110

IRFR110 產(chǎn)品屬性

  • IRFR110, SiHRF110

  • 3,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 100V

  • 4.3A

  • 540 毫歐 @ 2.6A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 8.3nC @ 10V

  • 180pF @ 25V

  • 2.5W

  • 表面貼裝

  • TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • D-Pak

  • 管件

  • *IRFR110

IRFR110相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.21ohm, Id=9.4A)
    IRF [Internatio...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 6.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFETR Power MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFETR Power MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFETs

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