IRFU9110 Datasheet

IC型號：
IRFU9110
PDF描述：
3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
文件大?。?/label>
66.19KB
PDF頁數(shù)：
7頁
芯片廠家：
INTERSIL

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IRFR9110, IRFU9110

Data Sheet

July 1999

File Number

4001.3

3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power

MOSFETs

These are advanced power MOSFETs designed, tested, and

guaranteed to withstand a speci鏗乧 level of energy in the

avalanche breakdown mode of operation. These are

P-Channel enhancement mode silicon gate power

鏗乪ld-effect transistors designed for applications such as

switching regulators, switching converters, motor drivers,

relay drivers, and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

These types can be operated directly from integrated

circuits.

Formerly developmental type TA17541.

Features

鈥?3.1A, 100V

鈥?r

DS(ON)

= 1.200鈩?/div>

鈥?Temperature Compensating PSPICE鈩?Model

鈥?Peak Current vs Pulse Width Curve

鈥?UIS Rating Curve

鈥?Related Literature

- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards鈥?/div>

Symbol

Ordering Information

PART NUMBER

IRFR9110

IRFU9110

PACKAGE

TO-252AA

TO-251AA

BRAND

IF9110

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the suffix 9A

to obtain the TO-252AA variant in the tape and reel, i.e., IRFR91109A.

Packaging

JEDEC TO-251AA

SOURCE

DRAIN

GATE

JEDEC TO-252AA

GATE

SOURCE

DRAIN (FLANGE)

4-77

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

http://www.intersil.com or 407-727-9207

漏

Intersil Corporation 1999

數(shù)據(jù)列表
IRFR9110, IRFU9110
標準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 歐姆 @ 1.9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.7nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
200pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-251AA
包裝
管件
其它名稱
*IRFU9110

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型號

版本

描述

廠商

下載
IRFU010

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF

IRFU010
IRFU010

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFU010
IRFU010

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

SAMSUNG [S...

IRFU010
IRFU010

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF [Inter...

IRFU010
IRFU012

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF

IRFU012
IRFU012

英文版

AVALANCHE AND dv/dt RATED

IRF [Inter...

IRFU012
IRFU014

英文版

Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)

IRF

IRFU014
IRFU014

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

IRFU014
IRFU014

英文版

N-CHANNEL POWER MOSFET

SAMSUNG [S...

IRFU014
IRFU014

英文版

Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)

IRF [Inter...

IRFU014
IRFU020

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...

ETC

IRFU020
IRFU020

英文版

Power MOSFET

VISAY [Vis...

IRFU020
IRFU022

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...

ETC

IRFU022
IRFU024

英文版

HEXFET POWER MOSFET

IRF

IRFU024
IRFU024

英文版

HEXFET POWER MOSFET

IRF [Inter...

IRFU024
IRFU110

英文版

4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRFU110
IRFU110

英文版

4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

INTERSIL [...

IRFU110
IRFU111

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) |...

ETC

IRFU111
IRFU120

英文版

HEXFET POWER MOSFET

IRF

IRFU120
IRFU120

英文版

8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRFU120

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