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IRFU420A Datasheet

  • IRFU420A

  • SMPS MOSFET

  • 10頁(yè)

  • IRF

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PD - 94355
SMPS MOSFET
IRFR420A
IRFU420A
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptible Power Supply
l
High speed power switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective C
OSS
specified (See AN 1001)
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
V
DSS
500V
R
DS
(on) max
3.0鈩?/div>
I
D
3.3A
D-Pak
IRFR420A
I-Pak
IRFU420A
Max.
3.3
2.1
10
83
0.67
鹵 30
3.4
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
Avalanche Characteristics
Parameter
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy聜
Avalanche Current聛
Repetitive Avalanche Energy聛
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
140
2.5
5.0
Units
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.5
鈥撯€撯€?/div>
62
Units
擄C/W
www.irf.com
1
12/10/01

IRFU420A 產(chǎn)品屬性

  • Vishay

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 500 V

  • +/- 30 V

  • 3.3 A

  • 3 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • Through Hole

  • IPAK

  • Tube

  • 13 ns

  • - 55 C

  • 83 W

  • 12 ns

  • 3000

  • 16 ns

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL

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