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IRFU3711 Datasheet

  • IRFU3711

  • Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.5mohm, Id=110A)

  • 10頁(yè)

  • IRF

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PD- 94061
SMPS MOSFET
Applications
l
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
High Frequency Buck Converters for
Server Processor Power Synchronous FET
l
Optimized for Synchronous Buck
Converters Including Capacitive Induced
Turn-on Immunity
Benefits
l
Ultra-Low Gate Impedance
l
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
C
= 25擄C
T
J
, T
STG
IRFR3711
IRFU3711
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
20V
R
DS(on)
max
6.5m鈩?/div>
I
D
110A
聞
D-Pak
IRFR3711
I-Pak
IRFU3711
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Maximum Power Dissipation
聟
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
20
鹵 20
110
聞
69
聞
440
2.5
120
0.96
-55 to + 150
Units
V
V
A
W
W
mW/擄C
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)
聟
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.04
50
110
Units
擄C/W
Notes
聛
through
聞
are on page 10
www.irf.com
1
2/7/01

IRFU3711 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門(mén)

  • 20V

  • 100A

  • 6.5 毫歐 @ 15A，10V

  • 3V @ 250µA

  • 44nC @ 4.5V

  • 2980pF @ 10V

  • 2.5W

  • 通孔

  • TO-251-3 長(zhǎng)引線(xiàn)，IPak，TO-251AB

  • I-Pak

  • 管件

  • *IRFU3711

IRFU3711相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠(chǎng)商
    下載
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL

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