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IRFU3707 Datasheet

  • IRFU3707

  • Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A)

  • 9頁

  • IRF

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PD - 93934B
SMPS MOSFET
Applications
l
High Frequency DC-DC Isolated
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial use
l
IRFR3707
IRFU3707
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
30V
R
DS(on)
max
13m鈩?/div>
I
D
61A
聞
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
Benefits
l
l
l
Ultra-Low R
DS(on)
Very Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRFR3707
I-Pak
IRFU3707
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
C
= 70擄C
T
J
, T
STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Maximum Power Dissipation
聝
Maximum Power Dissipation
聝
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
30
鹵 20
61
聞
51
聞
244
87
61
0.59
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
mW/擄C
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃JA
R
胃JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
1.73
50
110
Units
擄C/W
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
Notes
聛
through
聞
are on page 9
www.irf.com
1
8/22/00

IRFU3707 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 30V

  • 61A

  • 13 毫歐 @ 15A，10V

  • 3V @ 250µA

  • 19nC @ 4.5V

  • 1990pF @ 15V

  • 87W

  • 通孔

  • TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

  • I-Pak

  • 管件

  • *IRFU3707

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL

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