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IRFU3412PBF Datasheet

  • IRFU3412PBF

  • SMPS MOSFET

  • 225.47KB

  • 10頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD - 95498A
SMPS MOSFET
Applications
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Motor Drive
l
Bridge Converters
l
All Zero Voltage Switching
l
Lead-Free
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Enhanced Body Diode dv/dt Capability
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 second
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
IRFR3412PbF
IRFU3412PbF
HEXFET
廬
Power MOSFET
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
0.025鈩?/div>
I
D
48A聠
D-Pak
IRFR3412
I-Pak
IRFU3412
Max.
48
聠
34
聠
190
140
0.95
鹵 20
6.4
-55 to + 175
300(1.6mm from case )
10 lbf鈥n (1.1N鈥)
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Diode Characteristics
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
聛
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Reverse RecoveryCurrent
Forward Turn-On Time
Min. Typ. Max. Units
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
48
聠
190
A
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?1.3
V
聞
鈥撯€撯€?68 100
ns
鈥撯€撯€?160 240
nC
鈥撯€撯€?4.5 6.8
A
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Conditions
MOSFET symbol
showing the
G
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25擄C, I
S
= 29A, V
GS
= 0V
T
J
= 125擄C, I
F
= 29A
di/dt = 100A/碌s
聞
D
S
www.irf.com
1
12/03/04

IRFU3412PBF 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 100V

  • 48A

  • 25 毫歐 @ 29A，10V

  • 5.5V @ 250µA

  • 89nC @ 10V

  • 3430pF @ 25V

  • 140W

  • 通孔

  • TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

  • I-Pak

  • 管件

  • *IRFU3412PBF

IRFU3412PBF相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF
  • 英文版
    AVALANCHE AND dv/dt RATED
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFET
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 15A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | ...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF [Inter...
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL
  • 英文版
    4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET POWER MOSFET
    IRF
  • 英文版
    8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
    INTERSIL

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