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IRFU220N Datasheet

  • IRFU220N

  • Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A)

  • 10頁(yè)

  • IRF

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PD- 94048
SMPS MOSFET
Applications
l
High frequency DC-DC converters
IRFR220N
IRFU220N
HEXFET
Power MOSFET
V
DSS
R
DS(on)
max (m鈩?
200V
600
I
D
5.0A
Benefits
l
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
l
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRFR22ON
I-Pak
IRFU220N
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
5.0
3.5
20
43
0.71
鹵 20
7.5
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input Forward Converters
Notes
through
are on page 10
www.irf.com
1
11/29/00

IRFU220N 產(chǎn)品屬性

  • 75

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • HEXFET®

  • MOSFET N 通道,金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 200V

  • 5A

  • 600 毫歐 @ 2.9A,10V

  • 4V @ 250µA

  • 23nC @ 10V

  • 300pF @ 25V

  • 43W

  • 通孔

  • TO-251-3 長(zhǎng)引線(xiàn),IPak,TO-251AB

  • I-Pak

  • 管件

  • *IRFU220N

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