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IRFR110A Datasheet

  • IRFR110A

  • Advanced Power MOSFET

  • 7頁

  • FAIRCHILD

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Advanced Power MOSFET
FEATURES
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10
碌
A (Max.) @ V
DS
= 100V
Lower R
DS(ON)
: 0.289
鈩?/div>
(Typ.)
IRFR/U110A
BV
DSS
= 100 V
R
DS(on)
= 0.4
鈩?/div>
I
D
= 4.7 A
D-PAK
2
1
3
1
I-PAK
2
3
1. Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
P
D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
C
)
Continuous Drain Current (T
C
=100
C
)
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation (T
A
=25
C
) *
螣
螣
螣
Value
100
4.7
3
1
O
2
O
1
O
1
O
3
O
Units
V
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/
C
螣
19
+
20
_
59
4.7
2
6.5
2.5
20
0.16
- 55 to +150
螣
Total Power Dissipation (T
C
=25
C
)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8鈥?from case for 5-seconds
螣
T
J
, T
STG
T
L
C
300
Thermal Resistance
Symbol
R
胃
JC
R
胃
JA
R
胃
JA
Characteristic
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient *
Junction-to-Ambient
Typ.
--
--
--
Max.
6.26
50
110
螣
Units
C
/W
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).
Rev. B
漏1999 Fairchild Semiconductor Corporation

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    SAMSUNG [S...
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