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IRFD320 Datasheet

  • IRFD320

  • Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=0.49A)

  • 8頁(yè)

  • IRF

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PD -9.1226
IRFD320
HEXFET
廬
Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
For Automatic Insertion
End Stackable
Fast Switching
Ease of paralleling
Simple Drive Requirements
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer
with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-
resistance and cost-effectiveness.
The 4-pin DIP package is a low-cost machine-insertable case style which can be
stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain
serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to
1 watt.
HD-1
V
DSS
= 400V
R
DS(on)
= 1.8
鈩?/div>
I
D
= 0.49A
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10 V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10 V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
0.49
0.31
3.9
1.0
0.0083
鹵20
48
0.49
0.10
4.0
-55 to + 150
300 (1.6mm from case)
Units
A
W
W/擄C
V
mJ
A
mJ
V/ns
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃
JA
Junction-to-Ambient
Min.
鈥?/div>
Typ.
鈥?/div>
Max.
120
Units
擄C/W
To Order
Revision 0

IRFD320 產(chǎn)品屬性

  • IRFD320

  • 2,500

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 400V

  • 490mA

  • 1.8 歐姆 @ 210mA，10V

  • 4V @ 250µA

  • 20nC @ 10V

  • 410pF @ 25V

  • 1W

  • 通孔

  • 4-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 4-DIP，Hexdip，HVMDIP

  • 管件

  • *IRFD320

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  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.7A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP
    IRF [Internatio...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP
    IRF [Internatio...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.7A)
    IRF
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFETs
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.4A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.2A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.2A I(D) |...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.0A)
    IRF
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | ...
    Vishay Siliconi...
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFET
  • 英文版
    HEXFET? Power MOSFETs
  • 英文版
    1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    Intersil

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