IRFD110 Datasheet

IC型號(hào)：
IRFD110
PDF描述：
1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
文件大小：
52.56KB
芯片廠家：
Intersil

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IRFD110

Data Sheet

July 1999

File Number

2314.3

1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power

MOSFET

This N-Channel enhancement mode silicon gate power 鏗乪ld

effect transistor is an advanced power MOSFET designed,

tested, and guaranteed to withstand a speci鏗乪d level of

energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of

these power MOSFETs are designed for applications such

as switching regulators, switching convertors, motor drivers,

relay drivers, and drivers for high power bipolar switching

transistors requiring high speed and low gate drive power.

These types can be operated directly from integrated

circuits.

Formerly developmental type TA17441.

Features

鈥?1A, 100V

鈥?r

DS(ON)

= 0.600鈩?/div>

鈥?Single Pulse Avalanche Energy Rated

鈥?SOA is Power Dissipation Limited

鈥?Nanosecond Switching Speeds

鈥?Linear Transfer Characteristics

鈥?High Input Impedance

鈥?Related Literature

- TB334 鈥淕uidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards鈥?/div>

Ordering Information

PART NUMBER

IRFD110

PACKAGE

HEXDIP

BRAND

IRFD110

Symbol

NOTE: When ordering, use the entire part number.

Packaging

HEXDIP

DRAIN

GATE

SOURCE

4-269

CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.

http://www.intersil.com or 407-727-9207

漏

Intersil Corporation 1999

數(shù)據(jù)列表
IRFD110
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫歐 @ 600mA，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD110IRFD111IRFD112

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
IRFD010

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.7A I(D) |...

ETC

IRFD010
IRFD010

英文版

HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP

IRF [Internatio...

IRFD010
IRFD012

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 1.4A I(D) |...

ETC

IRFD012
IRFD012

英文版

HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP

IRF [Internatio...

IRFD012
IRFD014

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.7A)

IRF

IRFD014
IRFD014

英文版

HEXFET? Power MOSFET

IRFD014
IRFD014

英文版

HEXFET? Power MOSFETs

IRFD014
IRFD015

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) |...

ETC

IRFD015
IRFD020

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.4A I(D) |...

ETC

IRFD020
IRFD020

英文版

HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP

IRF [Inter...

IRFD020
IRFD022

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2.2A I(D) |...

ETC

IRFD022
IRFD022

英文版

HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP

IRF [Inter...

IRFD022
IRFD024

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)

IRF

IRFD024
IRFD024

英文版

Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A)

IRF [Inter...

IRFD024
IRFD025

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2.2A I(D) |...

ETC

IRFD025
IRFD110

英文版

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.0A)

IRF

IRFD110
IRFD110

英文版

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | ...

Vishay Siliconi...

IRFD110
IRFD110

英文版

HEXFET? Power MOSFET

IRFD110
IRFD110

英文版

HEXFET? Power MOSFETs

IRFD110
IRFD110

英文版

1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRFD110

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