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IRFB17N50L Datasheet

  • IRFB17N50L

  • Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)

  • 8頁(yè)

  • IRF

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PD - 94084A
IRFB17N50L
SMPS MOSFET
Applications
l
l
l
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l
l
l
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l
l
HEXFET
廬
Power MOSFET
Switch Mode Power Supply (SMPS)
Uninterruptible Power Supply
High Speed Power Switching
ZVS and High Frequency Circuit
PWM Inverters
V
DSS
500V
R
DS(on)
typ.
0.28鈩?/div>
I
D
16A
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
Low Trr and Soft Diode Recovery
High Performance Optimised Anti-parallel Diode
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case )
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
TO-220AB
Max.
16
11
64
220
1.8
鹵 30
13
-55 to + 150
300
10
Absolute Maximum Ratings
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
lbft.in(N.m)
Diode Characteristics
Symbol
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
聛
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
Forward Turn-On Time
Min. Typ. Max. Units
Conditions
D
16
MOSFET symbol
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?/div>
showing the
A
G
64
integral reverse
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?/div>
S
p-n junction diode.
鈥撯€撯€?鈥撯€撯€?1.5
V
T
J
= 25擄C, I
S
= 16A, V
GS
= 0V
聞
鈥撯€撯€?170 250
T
J
= 25擄C
I
F
= 16A
ns
鈥撯€撯€?220 330
T
J
= 125擄C
di/dt = 100A/碌s
聞
鈥撯€撯€?470 710
T
J
= 25擄C
nC
鈥撯€撯€?810 1210
T
J
= 125擄C
鈥撯€撯€?7.3
11
A
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Typical SMPS Topologies
l
Bridge Converters
l
All Zero Voltage Switching
www.irf.com
1
3/28/01

IRFB17N50L 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標(biāo)準(zhǔn)型

  • 500V

  • 16A

  • 320 毫歐 @ 9.9A，10V

  • 5V @ 250µA

  • 130nC @ 10V

  • 2760pF @ 25V

  • 220W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRFB17N50LQ1082842

IRFB17N50L相關(guān)型號(hào)PDF文件下載

  • 型號(hào)
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
    IRF

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