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IRFB13N50A Datasheet

  • IRFB13N50A

  • Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.450ohm, Id=14A)

  • 98.58KB

  • 8頁

  • IRF

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PD - 94339
SMPS MOSFET
IRFB13N50A
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptible Power Supply
l
High Speed Power Switching
V
DSS
500V
R
DS(on)
max
0.450
鈩?/div>
I
D
14A
Benefits
l
Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
(1.6mm from case )
Mounting torqe, 6-32 or M3 screw
Max.
14
9.1
56
250
2.0
鹵 30
9.2
-55 to + 150
300
10
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
lbf鈥n (1.1N鈥)
Avalanche Characteristics
Symbol
E
AS
I
AR
E
AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy聜
Avalanche Current聛
Repetitive Avalanche Energy聛
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
鈥撯€撯€?/div>
Max.
560
14
25
Units
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JC
R
胃CS
R
胃JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
鈥撯€撯€?/div>
0.50
鈥撯€撯€?/div>
Max.
0.50
鈥撯€撯€?/div>
62
Units
擄C/W
www.irf.com
1
12/10/01

IRFB13N50A 產品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導體產品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 500V

  • 14A

  • 450 毫歐 @ 8.4A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 81nC @ 10V

  • 1910pF @ 25V

  • 250W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • *IRFB13N50A

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOS...
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3.2A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    6.2A, 600V, 1.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS
  • 英文版
    6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFET...
    HARRIS [Ha...
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    Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A)
    IRF

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