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IRF840AS Datasheet

  • IRF840AS

  • Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.85ohm, Id=8.0A)

  • 10頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD- 91901B
SMPS MOSFET
IRF840AS
IRF840AL
HEXFET
廬
Power MOSFET
Applications
l
Switch Mode Power Supply (SMPS)
l
Uninterruptible Power Supply
l
High Speed Power Switching
Benefits
l
Low Gate Charge Qg Results in Simple
Drive Requirement
l
Improved Gate, Avalanche and Dynamic
dv/dt Ruggedness
l
Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Voltage and Current
l
Effective Coss Specified (See AN 1001)
V
DSS
500V
R
DS(on)
max
0.85鈩?/div>
I
D
8.0A
D
2
Pak
IRF840AS
TO-262
IRF840AL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25擄C
I
D
@ T
C
= 100擄C
I
DM
P
D
@T
C
= 25擄C
P
D
@T
A
= 25擄C
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V聠
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V聠
Pulsed Drain Current
聛聠
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
聝聠
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Max.
8.0
5.1
32
125
3.1
1.0
鹵 30
5.0
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
Units
A
W
W/擄C
V
V/ns
擄C
Typical SMPS Topologies
l
l
l
Two Transistor Forward
Haft Bridge
Full Bridge
through
聠
are on page 10
Notes
聛
www.irf.com
1
12/16/99

IRF840AS 產(chǎn)品屬性

  • IRF840ASPBF, ALPBF

  • 1,000

  • 分離式半導體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • -

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 標準型

  • 500V

  • 8A

  • 850 毫歐 @ 4.8A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 38nC @ 10V

  • 1018pF @ 25V

  • 3.1W

  • 表面貼裝

  • TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • D2PAK

  • 管件

  • *IRF840AS

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA [...
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
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    MOTOROLA
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