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IRF830/D Datasheet

  • IRF830/D

  • Power Field Effect Transistor

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IRF830
Power Field Effect Transistor
N鈥揅hannel Enhancement Mode
Silicon Gate TMOS
This TMOS Power FET is designed for high voltage, high speed
power switching applications such as switching regulators, converters,
solenoid and relay drivers.
http://onsemi.com
鈥?/div>
Silicon Gate for Fast Switching Speeds
鈥?/div>
Low R
DS(on)
to Minimize On鈥揕osses, Specified at Elevated
Temperature
鈥?/div>
Rugged 鈥?SOA is Power Dissipation Limited
鈥?/div>
Source鈥搕o鈥揇rain Diode Characterized for Use with Inductive Loads
TMOS POWER FET
4.5 AMPERES
500 VOLTS
R
DS(on)
= 1.5
鈩?/div>
N鈥揅hannel
MAXIMUM RATINGS
Rating
Drain鈥揝ource Voltage
Drain鈥揋ate Voltage (R
GS
= 1.0 M鈩?
Gate鈥揝ource Voltage
Drain Current
Continuous, T
C
= 25擄C
Continuous,
T
C
= 100擄C
Peak, T
C
= 25擄C
Total Power Dissipation @ T
C
= 25擄C
Derate above 25擄C
Operating and Storage
Temperature Range
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
4.5
3.0
18
P
D
T
J
, T
stg
75
0.6
鈥?55 to 150
Watts
W/擄C
擄C
4
Value
500
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
D
"
20
500
廬
G
S
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance
鈥?Junction鈥搕o鈥揅ase
鈥?Junction鈥搕o鈥揂mbient
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes, 1/8鈥?from Case
for 5 Seconds
擄C/W
R
胃JC
R
胃JA
T
L
1.67
62.5
300
擄C
1
2
3
TO鈥?20AB
CASE 221A
STYLE 5
PIN ASSIGNMENT
1
2
3
4
Gate
Drain
Source
Drain
ORDERING INFORMATION
Device
IRF830
See the MTM4N45 Data Sheet for a complete set of design curves for the
product on this data sheet. Design curves of the MTP4N45 are applicable for
this product.
Package
TO鈥?20AB
Shipping
50 Units/Rail
漏
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000
1
April, 2000 鈥?Rev. 0
Publication Order Number:
IRF830/D

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  • 型號
    版本
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    廠商
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    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
    STMICROELECTRON...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
  • 英文版
    2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG [S...
  • 英文版
    N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
    STMICROELECTRON...
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    N-CHANNEL POWER MOSFETS
    SAMSUNG
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V
    FAIRCHILD
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    MOTOROLA
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