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IRF640PBF

更新時間:2025-07-03 23:47:42

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深圳市誠研翔科技有限公司
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北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
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深圳市鵬先達電子有限公司
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IRF640PBF 概述

IRF640PBF是由國際整流器公司（現為英飛凌科技的一部分）生產的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用場合。其柵極電荷較低，有助于降低驅動損耗并提高整體效率。在實際應用中，需注意柵極電壓的穩(wěn)定性，確保不低于10V以實現最佳導通性能。此外，在電路設計時應考慮散熱措施，如加裝散熱片，以保證器件長期可靠運行。該MOSFET廣泛應用于工業(yè)控制、消費電子等領域。

IRF640PBF 規(guī)格參數

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
70nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
*IRF640PBF

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