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IRF640 Datasheet

  • IRF640

  • N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERL...

  • 9頁

  • STMICROELECTRONICS   STMICROELECTRONICS

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廬
IRF640
IRF640FP
N - CHANNEL 200V - 0.150鈩?- 18A TO-220/TO-220FP
MESH OVERLAY鈩?MOSFET
TYPE
IRF640
IRF640FP
s
s
s
s
V
DSS
200 V
200 V
R
DS(on)
< 0.18
鈩?/div>
< 0.18
鈩?/div>
I
D
18 A
18 A
TYPICAL R
DS(on)
= 0.150
鈩?/div>
EXTREMELY HIGH dV/dt CAPABILITY
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
3
1
2
1
2
3
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he
company鈥檚 consolidated strip layout-based MESH
OVERLAY
鈩?/div>
process. This technology matches
and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
TO-220
TO-220FP
APPLICATIONS
s
HIGH CURRENT SWITCHING
s
UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
s
DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(鈥?
P
tot
dv/dt(
1
)
V
ISO
T
s tg
T
j
Parameter
IRF640
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
鈩?/div>
)
G ate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100 C
Drain Current (pulsed)
T otal Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
Peak Diode Recovery voltage slope
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
o
Value
IRF 640F P
200
200
鹵
20
18
11
72
125
1.0
5
錚?/div>
-65 to 150
150
18(**)
11(**)
72
40
0.32
5
2000
Un it
V
V
V
A
A
A
W
W/ C
V/ns
V
o
o
o
C
C
(鈥? Pulse width limited by safe operating area
(
1
) I
SD
鈮?/div>
18A, di/dt
鈮?/div>
300 A/碌s, V
DD
鈮?/div>
V
(BR)DSS
, Tj
鈮?/div>
T
JMAX
First Digit of the Datecode Being Z or K Identifies Silicon Characterized in this Datasheet
(**) Limited only by Maximum Temperature Allowed
October 1999
1/9

IRF640 產(chǎn)品屬性

  • 50

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • FET - 單

  • MESH OVERLAY™

  • MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • 邏輯電平門

  • 200V

  • 18A

  • 180 毫歐 @ 9A，10V

  • 4V @ 250µA

  • 72nC @ 10V

  • 1560pF @ 25V

  • 125W

  • 通孔

  • TO-220-3

  • TO-220AB

  • 管件

  • 497-2759-5

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD
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    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 3.5A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    2.0A, 250V, 2.0 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 1.6A I(D) ...
    ETC
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
    STMICROELECTRONICS
  • 英文版
    Power MOSFET
    TRSYS
  • 英文版
    5.0A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
    STMICROELECTRON...

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