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IRF7201

更新時間:2025-07-03 13:25:31

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IRF7201外觀圖

IRF7201

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF7201 概述

IRF7201是由International Rectifier公司（現(xiàn)已被Infineon Technologies收購）生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術(shù)制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為20V，在柵極驅(qū)動電壓為4.5V時，連續(xù)漏電流可達30A。這款MOSFET適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載點調(diào)節(jié)器以及電池供電設(shè)備等應用場合。在便攜式電子設(shè)備中，如智能手機和平板電腦的電源管理電路里，IRF7201能夠高效地進行電能變換，有助于提升設(shè)備的整體能效。由于其緊湊的封裝形式和優(yōu)異的電氣性能，它也非常適合集成到空間受限的電路板設(shè)計當中。使用時應注意遵循推薦的散熱設(shè)計指導以確?？煽窟\行。

IRF7201 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
95
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
30 毫歐 @ 7.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
28nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設(shè)備封裝
8-SO
包裝
管件
其它名稱
*IRF7201

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IRF7201
IRF7201PBF
IRF7201TR
IRF7201TRPBF
IRF701
IRF7010
IRF710
IRFZ44N

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