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IRF5800PBF Datasheet

  • IRF5800PBF

  • HEXFET Power MOSFET

  • 8頁

  • IRF

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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PD - 96029
IRF5800PbF
HEXFET
廬
Power MOSFET
l
l
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel
Low Gate Charge
Lead-Free
D
1
6
A
D
V
DSS
= -30V
D
2
5
D
G
3
4
S
R
DS(on)
= 0.085鈩?/div>
Top View
Description
These P-channel MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit
provides the designer with an extremely efficient device for
use in battery and load management applications.
The TSOP-6 package with its customized leadframe
produces a HEXFET
廬
power MOSFET with R
DS(on)
60%
less than a similar size SOT-23. This package is ideal for
applications where printed circuit board space is at a
premium. It's unique thermal design and R
DS(on)
reduction
enables a current-handling increase of nearly 300%
compared to the SOT-23.
TSOP-6
Absolute Maximum Ratings
Parameter
V
DS
I
D
@ T
A
= 25擄C
I
D
@ T
A
= 70擄C
I
DM
P
D
@T
A
= 25擄C
P
D
@T
A
= 70擄C
E
AS
V
GS
T
J,
T
STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -4.5V
Pulsed Drain Current
聛
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy聞
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
Max.
-30
-4.0
-3.2
-32
2.0
1.3
0.016
20.6
鹵 20
-55 to + 150
Units
V
A
W
W/擄C
mJ
V
擄C
Thermal Resistance
Parameter
R
胃JA
Maximum Junction-to-Ambient
聝
Max.
62.5
Units
擄C/W
www.irf.com
1
08/31/05

IRF5800PBF 產(chǎn)品屬性

  • 24 ns

  • 11.4 ns

  • 11.4 nC V @ 10

  • 535 pF V @ 25

  • 表面貼裝

  • 1.5mm

  • TSOP

  • 3 x 1.5 x 0.9mm

  • 6

  • -55 °C

  • 2000 mW

  • ±20 V

  • 30 V

  • 0.085

  • 4 A

  • +150 °C

  • 1

  • 功率 MOSFET

  • 增強

  • P

  • 四漏極、單

  • 3mm

  • 0.9mm

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
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    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    Analog IC
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC
  • 英文版
    50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUM...
    ETC [ETC]
  • 英文版
    5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
    IRF
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUPERTEX
  • 英文版
    Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)
    IRF [Inter...
  • 英文版
    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD ...
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUTEX [Sup...
  • 英文版
    5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET
    INTERSIL [...
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    N-Channel Power MOSFETs, 5.5 A, 60-100V
    FAIRCHILD
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    N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs
    SUPERTEX
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