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IC Datasheet頻道、中國IC資料網(wǎng)

IPB45N06S4L-08 Datasheet

IC型號：
IPB45N06S4L-08
PDF描述：
OptiMOS-T2 Power-Transistor
文件大小：
175.17KB
芯片廠家：
INFINEON

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

IPB45N06S4L-08 PDF文件相關(guān)型號

IPI45N06S4L-08,IPP45N06S4L-08

IPB45N06S4L-08 產(chǎn)品屬性

數(shù)據(jù)列表
IPx45N06S4L-08
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
45A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.9 毫歐 @ 45A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 35µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
64nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4780pF @ 25V
功率 - 最大
71W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO263-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000374316

IPB45N06S4L-08相關(guān)型號PDF文件下載

型號

版本

描述

廠商

下載
IPB45N06S3...

英文版

MOSFET N-CH 55V 45A TO-263

IPB45N06S3-16
IPB45N06S4...

英文版

OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPB45N06S4-09
IPB45N06S4...

英文版

OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPB45N06S4L-08
IPB45P03P4...

英文版

OptiMOS-P2 Power-Transistor

IPB45P03P4L-11

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