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IC Datasheet頻道、中國(guó)IC資料網(wǎng)

IPB45N06S3-16 Datasheet

IC型號(hào)：
IPB45N06S3-16
PDF描述：
MOSFET N-CH 55V 45A TO-263
文件大小：
189.00KB
PDF頁(yè)數(shù)：
9頁(yè)

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

IPB45N06S3-16 產(chǎn)品屬性

數(shù)據(jù)列表
IPB(I,P)45N06S3-16
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
45A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
15.4 毫歐 @ 23A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 30µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
57nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2980pF @ 25V
功率 - 最大
65W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO263-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPB45N06S3-16-NDIPB45N06S3-16INTRIPB45N06S316XTSP000102224

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
IPB45N06S3...

英文版

MOSFET N-CH 55V 45A TO-263

IPB45N06S3-16
IPB45N06S4...

英文版

OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPB45N06S4-09
IPB45N06S4...

英文版

OptiMOS-T2 Power-Transistor

IPB45N06S4L-08
IPB45P03P4...

英文版

OptiMOS-P2 Power-Transistor

IPB45P03P4L-11

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