FQD10N20CTM 產(chǎn)品屬性

• 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊

  High Voltage Switches for Power Processing

• 標(biāo)準(zhǔn)包裝

  2,500

• 類別

  分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

• 家庭

  FET - 單

• 系列

  QFET™

• FET 型

  MOSFET N 通道，金屬氧化物

• FET 特點

  標(biāo)準(zhǔn)型

• 漏極至源極電壓(Vdss)

  200V

• 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C

  7.8A

• 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C

  360 毫歐 @ 3.9A，10V

• Id 時的 Vgs(th)（最大）

  4V @ 250µA

• 閘電荷(Qg) @ Vgs

  26nC @ 10V

• 輸入電容 (Ciss) @ Vds

  510pF @ 25V

• 功率 - 最大

  50W

• 安裝類型

  表面貼裝

• 封裝/外殼

  TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

• 供應(yīng)商設(shè)備封裝

  TO-252-3

• 包裝

  帶卷 (TR)

• 其它名稱

  FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR