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FDB6035AL

更新時間:2025-06-10 07:40:02

供應(yīng)商
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封裝/批號
說明
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權(quán)威機構(gòu)檢測

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳原裝進口星宇佳科技

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝正品,配單能手

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原裝認證有意請來電或QQ洽談

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公司原裝現(xiàn)貨可開13%增值稅

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低價出售原裝現(xiàn)貨可看貨假一罰十

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深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)

深圳市得捷芯城科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市智其偉業(yè)電子有限公司
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FDB6035AL 概述

FDB6035AL是由Fairchild Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電源管理電路等。在筆記本電腦、消費電子產(chǎn)品及工業(yè)設(shè)備中廣泛使用以實現(xiàn)高效能的電源控制。對于實際應(yīng)用中的建議，在設(shè)計電路時應(yīng)注意MOSFET的驅(qū)動電壓需滿足閾值要求，通常需要一個合適的柵極驅(qū)動電路來確保可靠開啟和關(guān)閉。在PCB布局方面，盡量縮短源極到地以及柵極走線的距離以減少寄生電感的影響。如果用于同步整流電路，還需要考慮與續(xù)流MOSFET之間的死區(qū)時間設(shè)置，防止直通電流造成損壞。

FDB6035AL 規(guī)格參數(shù)

制造商
Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
48 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.0125 Ohms at 10 V
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-263AB
封裝
Reel
下降時間
12 ns
最小工作溫度
- 65 C
功率耗散
52 W
上升時間
12 ns
工廠包裝數(shù)量
800
典型關(guān)閉延遲時間
29 ns
零件號別名
FDB6035AL_NL

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