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FP20R06KL4 Datasheet

  • FP20R06KL4

  • IGBT-Module

  • 13頁(yè)

  • EUPEC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP20R06KL4
Vorl盲ufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
H枚chstzul盲ssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische R眉ckw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchla脽strom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Sto脽strom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I t - value
2
T
vj
=25擄C
T
C
=80擄C
T
C
=80擄C
t
P
= 10 ms, T
vj
=
t
P
= 10 ms, T
vj
=
25擄C
25擄C
V
RRM
I
FRMSM
I
RMSmax
I
FSM
I t
2
800
V
29
36
262
215
344
231
A
A
A
A
A
2
s
A
2
s
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150擄C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150擄C
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
2
I t - value
t
P
= 1 ms
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125擄C
I
F
I
FRM
I t
2
T
vj
=25擄C
T
C
= 65擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms,
T
C
= 25擄C
T
c
=65擄C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
600
20
25
40
78
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
20
40
62
A
A
A s
2
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Thomas Passe
approved by: Ingo Graf
t
P
= 1 ms
I
F
I
FRM
20
40
A
A
T
vj
=25擄C
T
C
= 65 擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms,
T
C
= 25擄C
T
c
=65擄C
V
CES
I
C,nom.
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
600
20
25
40
78
+/- 20V
V
A
A
A
W
V
date of publication: 2002-02-14
revision: 4
1(12)

FP20R06KL4 產(chǎn)品屬性

  • Infineon

  • IGBT 模塊

  • IGBT Silicon Modules

  • Hex

  • 600 V

  • 1.95 V

  • 25 A

  • 400 nA

  • 78 W

  • + 125 C

  • EasyPIM2

  • +/- 20 V

  • - 40 C

  • Screw

  • 1000

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