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FMMV2104 Datasheet

  • FMMV2104

  • SOT23 SILICON PLANAR VARIABLE CAPACITANCE DIODES

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SOT23 SILICON PLANAR
VARIABLE CAPACITANCE DIODES
ISSUE 3 聳 JANUARY 1996
PIN CONFIGURATION

7
PARTMARKING DETAILS
SEE TUNING CHARACTERISTICS
FMMV2101
to
FMMV2109
1
3
2
!
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Reverse Voltage
Forward Current
Power Dissipation at T
amb
=25擄C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
R
I
F
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
30
200
330
-55 to +150
UNIT
V
mA
mW
擄C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C).
PARAMETER
Reverse Breakdown
Voltage
Reverse current
Series Inductance
SYMBOL
V
BR
I
R
L
S
3.0
280
0.15
400
MIN.
30
20
TYP.
MAX.
UNIT
V
nA
nH
ppm/ 擄C
pF
CONDITIONS.
I
R
= 10
碌
A
V
R
= 25V
f=250MHz
Lead length
鈮?/div>
1.5mm
V
R
= 4V, f=1MHz
Lead length
鈮?/div>
1.5mm
f=1MHz
Diode Capacitance
T
CC
Temperature Coefficient
Case Capacitance
C
C
TUNING CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25擄C).
Type No.
FMMV2101
FMMV2103
FMMV2104
FMMV2105
FMMV2107
FMMV2108
FMMV2109
Nominal Capacitance (pF)
V
R
= 4V, f=1MHz
Nom.
6.8
10.0
12.0
15.0
22.0
27.0
33.0
Q 聳 Figure of MERIT
V
R
= 4V, f=50MHz
450
400
400
400
350
300
280
Min.
6.1
9.0
10.8
13.5
19.8
24.3
29.3
Max.
7.5
11.0
13.2
16.5
24.2
29.7
36.3
Turning Ratio
C
2
/ C
30
f=1MHz
Min.
Max.
2.5
3.3
2.6
3.3
2.6
3.3
2.6
3.3
2.7
3.3
2.7
3.3
2.7
3.3
Partmark
Detail
6R
6G
6H
6J
6L
6M
6N
* SELECTED DEVICE RANGE OFFERED ONLY
3 - 185

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