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FDB6670AL

更新時間:2025-07-04 09:51:46

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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市金山順電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

深圳市智其偉業(yè)電子有限公司
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FDB6670AL外觀圖

FDB6670AL

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

FDB6670AL 概述

FDB6670AL是由On Semiconductor公司生產的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關以及電池供電設備中的電源管理電路。在實際應用中，FDB6670AL常用于需要高效能功率控制的場合，例如便攜式設備、消費電子產品及工業(yè)控制系統。由于其具備良好的熱穩(wěn)定性和較低的柵極電荷，能夠有效減少開關損耗，提升整體系統效率。設計時需注意合理選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計滿足要求，避免過熱導致性能下降或損壞。

FDB6670AL 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 毫歐 @ 40A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2440pF @ 15V
功率 - 最大
68W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)

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