FDZ202P Datasheet

IC型號(hào)：
FDZ202P
PDF描述：
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
文件大小：
38.26KB
PDF頁數(shù)：
4頁
芯片廠家：
FAIRCHILD

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FDZ202P

November 1999

ADVANCE INFORMATION

FDZ202P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

BGA MOSFET

General Description

Combining Fairchild鈥檚 advanced 2.5V specified

PowerTrench process with state of the art BGA

packaging, the FDZ202P minimizes both PCB space

and R

DS(ON)

This BGA MOSFET embodies a

breakthrough in packaging technology which enables

the device to combine excellent thermal transfer

characteristics, high current handling capability, ultra-

low profile packaging, low gate charge, and low R

DS(ON)

Features

鈥?

鈥?.5 A, 鈥?0 V. R

DS(ON)

= 0.045

鈩?/div>

@ V

= 鈥?.5 V

DS(ON)

= 0.075

鈩?/div>

@ V

= 鈥?.5 V.

鈥?

Occupies only 5 mm

of PCB area.

Only 55% of the area of SSOT-6

鈥?

Ultra-thin package: less than 0.70 mm height when

mounted to PCB

鈥?

Outstanding thermal transfer characteristics:

4 times better than SSOT-6

鈥?

Ultra-low Q

x R

DS(ON)

figure-of-merit.

鈥?

High power and current handling capability.

Applications

鈥?

Battery management

鈥?

Load switch

鈥?

Battery protection

Pin 1

F202

Pin 1

Bottom

Top

=25

C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

GSS

, T

stg

Parameter

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current 鈥?Continuous

(Note 1a)

鈥?Pulsed

Power Dissipation (Steady State)

(Note 1a)

Operating and Storage Junction Temperature Range

Ratings

鈥?0

鹵12

鈥?.5

鈥?0

2.7

-55 to +175

Units

擄C

Thermal Characteristics

胃JA

胃JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

擄C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

F202

Device

FDZ202P

Reel Size

TBD

Tape width

TBD

Quantity

TBD

餂?999

Fairchild Semiconductor Corporation

FDZ202P Rev. A (W)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫歐 @ 5.5A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
884pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
12-WFBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
12-BGA
包裝
帶卷 (TR)

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型號(hào)

版本

描述

廠商

下載
FDZ201N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ201N
FDZ201N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ201N
FDZ202P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ202P
FDZ202P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ202P
FDZ203N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ203N
FDZ203N

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ203N
FDZ204P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ204P
FDZ204P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ204P
FDZ206P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ206P
FDZ206P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ206P
FDZ208P

英文版

P-Channel 30 Volt PowerTrench

FAIRCHILD

FDZ208P
FDZ208P

英文版

P-Channel 30 Volt PowerTrench

FAIRCHILD ...

FDZ208P
FDZ209N

英文版

60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ209N
FDZ209N

英文版

60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ209N
FDZ291P

英文版

P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ291P
FDZ291P

英文版

P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ291P
FDZ293P

英文版

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ293P
FDZ293P

英文版

P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ293P
FDZ294N

英文版

N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD

FDZ294N
FDZ294N

英文版

N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET

FAIRCHILD ...

FDZ294N

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