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FDD5614P

更新時間:2025-07-03 14:22:34

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
FDD5614P
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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深圳市華美銳電子有限公司
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中研正芯（深圳）電子科技有限
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只做原裝特價清倉一手貨源代理渠道胡經(jīng)理

深圳市億泰科技有限公司
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北京金州智業(yè)科技有限公司
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深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司
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原裝原盤原盒可追溯

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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市博偉奇電子有限公司
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高品質(zhì) 優(yōu)選好芯

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/2024+
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市鵬先達電子有限公司
FDD5614P
2500
ONN
NA/NA
-

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FDD5614P外觀圖

FDD5614P

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 60V 15A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD5614P 概述

FDD5614P是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用PowerTrench封裝技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關特性。其典型應用包括負載開關、電源管理以及便攜式設備中的電池保護電路。由于其低柵極電荷和低反向傳輸電容，F(xiàn)DD5614P在高頻應用中表現(xiàn)出色，適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電電路中。在實際應用中，建議確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，同時注意防止靜電損壞。設計時應考慮適當?shù)纳岽胧⒆裱扑]的PCB布局指南以優(yōu)化性能。

FDD5614P 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
759pF @ 30V
功率 - 最大
1.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDD5614PTR

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