FDN342P Datasheet

IC型號：
FDN342P
PDF描述：
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET
文件大小：
308.40KB
PDF頁數(shù)：
8頁
芯片廠家：
FAIRCHILD

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FDN342P

August 1999

FDN342P

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench

MOSFET

General Description

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in

a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's

advanced PowerTrench process. It has been optimized

for power management applications for a wide range

of gate drive voltages (2.5V - 12V).

Features

聲

-2 A, -20 V. R

DS(ON)

= 0.08

鈩?/div>

@ V

= -4.5 V

DS(ON)

= 0.13

鈩?/div>

@ V

= -2.5 V.

Rugged gate rating (鹵12V).

High performance trench technology for extremely

low R

DS(ON)

Enhanced power SuperSOT

-3 (SOT-23).

Applications

聲

Load switch

聲

Battery protection

聲

Power management

SuperSOT -3

= 25擄C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

GSS

, T

stg

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

- Continuous

- Pulsed

Parameter

Ratings

-20

(Note 1a)

Units

擄C

鹵12

-2

-10

0.5

0.46

-55 to +150

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

Operating and Storage Junction Temperature Range

Thermal Characteristics

胃

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

250

擄C/W

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

FDN342P

Device

FDN342P

Reel Size

7鈥欌€?/div>

Tape Width

8mm

Quantity

3000 units

錚?999

Fairchild Semiconductor Corporation

FDN342P Rev. B

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
635pF @ 10V
功率 - 最大
460mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
3-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDN342P-NDFDN342PTR

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型號

版本

描述

廠商

下載
FDN302

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN302
FDN302

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN302
FDN335

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN335
FDN335

英文版

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN335
FDN336

英文版

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN336
FDN336

英文版

Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN336
FDN338

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD

FDN338
FDN338

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD ...

FDN338
FDN340

英文版

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN340
FDN340

英文版

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN340
FDN358

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD

FDN358
FDN358

英文版

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD ...

FDN358
FDN359

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN359
FDN359

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN359
FDN360

英文版

Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDN360
FDN360

英文版

Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDN360
FDN361

英文版

N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ

FAIRCHILD

FDN361
FDN361

英文版

N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ

FAIRCHILD ...

FDN361
FDN302P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDN302P
FDN302P

英文版

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

FDN302P

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