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MOSFET

General Description

This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged

gate version of Fairchild's Semiconductor鈥檚 advanced

PowerTrench process. It has been optimized for power

management applications with a wide range of gate

drive voltage (2.5V 鈥?12V). Packaged in FLMP SSOT-6,

the R

DS(ON)

and thermal properties of the device are

optimized for battery power management applications.

Features

鈥?/div>

6.5 A, 20 V

R

DS(ON)

= 20 m鈩?@ V

GS

= 4.5 V

R

DS(ON)

= 28 m鈩?@ V

GS

= 2.5 V

鈥?/div>

ESD protection diode (note 3)

鈥?/div>

High performance trench technology for extremely

low R

DS(ON)

鈥?/div>

FLMP SSOT-6 package: Enhanced thermal

performance in industry-standard package size

Bottom Drain Contact

Applications

鈥?/div>

Battery management/Charger Application

鈥?/div>

Load switch

S2

S1

G1

S2

SuperSOT-6

TM

4

G2

3

2

1

Bottom Drain Contact

5

6

S1

FLMP

T

A

=25 C unless otherwise noted

o

MOSFET Maximum Ratings

Symbol

V

DSS

V

GSS

I

D

P

D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

鈥?Continuous

鈥?Pulsed

Parameter

Ratings

20

鹵12

(Note 1a)

Units

V

A

W

7.3

20

1.6

1.8

1.2

鈥?5 to +150

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

T

J

, T

STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

擄C

Thermal Characteristics

R

胃JA

R

胃Jc

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

68

1

擄C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

.0NZ

餂?004

Fairchild Semiconductor Corporation

Device

FDC6000NZ

Reel Size

7鈥欌€?/div>

Tape width

8mm

Quantity

3000 units

FDC6000NZ Rev E1 (W)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
PowerTrench®
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫歐 @ 6.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
840pF @ 10V
功率 - 最大
1.2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-SSOT 扁平引線，SuperSOT?-6 FLMP
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-SSOT
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FDC6000NZTRFDC6000NZ_NLFDC6000NZ_NLTRFDC6000NZ_NLTR-ND

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型號

版本

描述

廠商

下載
FDC60

英文版

60 WATTS OUTPUT POWER

ETC

FDC60
FDC60

英文版

60 WATTS OUTPUT POWER

ETC [ETC]

FDC60
FDC602

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC602
FDC602

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC602
FDC604

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC604
FDC604

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC604
FDC634

英文版

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD

FDC634
FDC634

英文版

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD ...

FDC634
FDC638

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD

FDC638
FDC638

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC638
FDC642

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET

FAIRCHILD

FDC642
FDC642

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC642
FDC645

英文版

N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC645
FDC645

英文版

N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC645
FDC653

英文版

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD

FDC653
FDC653

英文版

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD ...

FDC653
FDC602P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC602P
FDC602P

英文版

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC602P
FDC604P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDC604P
FDC604P

英文版

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDC604P

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