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FDD6296

更新時間:2025-07-03 13:02:31

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FDD6296外觀圖

FDD6296

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD6296 概述

FDD6296是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關應用。其最大漏極-源極電壓為60V，適合于各種功率轉換和管理電路。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電池充電器、電機驅動器以及電源管理模塊中的同步整流。由于其優(yōu)化的柵極電荷和低Rds(on)，有助于減少開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。在設計過程中，需注意合理選擇柵極驅動電阻以防止振蕩，并確保散熱設計足夠應對預期的最大功率耗散。推薦在PCB布局時盡量縮短源極與柵極之間的走線長度，以減少寄生電感對開關性能的影響。對于高可靠性應用，建議進行充分的熱測試和EMI評估。

FDD6296 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.8 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1440pF @ 15V
功率 - 最大
1.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252
包裝
帶卷 (TR)

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