FDB6030L Datasheet

IC型號(hào)：
FDB6030L
PDF描述：
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...
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4頁
芯片廠家：
FAIRCHILD

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April 1998

FDP6030L / FDB6030L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

These N-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. These devices are particularly suited

for low voltage applications such as DC/DC converters and

high efficiency switching circuits where fast switching, low

in-line power loss, and resistance to transients are needed.

Features

52 A, 30 V. R

DS(ON)

= 0.0135

鈩?/div>

@ V

=10 V

DS(ON)

= 0.020

鈩?/div>

@ V

=4.5 V

Improved replacement for

NDP6030L/NDB6030L.

Low gate charge (typical 34 nC).

Low Crss (typical 175 pF).

Fast switching speed.

_________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings

Symbol

DSS

GSS

Parameter

Drain-Source Voltage

= 25擄C unless otherwise note

FDP6030L

鹵20

156

0.5

-65 to 175

FDB6030L

Units

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

Maximum Power Dissipation @ T

= 25擄C

Derate above 25擄C

W/擄C

擄C

STG

胃

胃JA

Operating and Storage Temperature Range

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

擄C/W

漏 1998 Fairchild Semiconductor Corporation

FDP6030L Rev.C

標(biāo)準(zhǔn)包裝
800
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
48A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
13 毫歐 @ 26A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1250pF @ 15V
功率 - 最大
52W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D²PAK
包裝
帶卷 (TR)

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型號(hào)

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描述

廠商

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FDB600

英文版

6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

DEC

FDB600
FDB600

英文版

6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

DEC [DIOTE...

FDB600
FDB601

英文版

6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

DEC

FDB601
FDB601

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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

DEC [DIOTE...

FDB601
FDB602

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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

DEC

FDB602
FDB602

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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

DEC [DIOTE...

FDB602
FDB604

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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

DEC

FDB604
FDB604

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FDB604
FDB606

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FDB606
FDB606

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FDB606
FDB608

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FDB608
FDB608

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FDB608
FDB610

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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

DEC

FDB610
FDB610

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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS

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FDB610
FDB6030

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N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDB6030
FDB6030

英文版

N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDB6030
FDB6030

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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transist...

FAIRCHILD ...

FDB6030
FDB6644

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30V N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDB6644
FDB6644

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30V N-Channel PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD ...

FDB6644
FDB6676

英文版

30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FAIRCHILD

FDB6676

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