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F4400R12KS4V3 Datasheet

  • F4400R12KS4V3

  • IGBT Module

  • 9頁

  • ETC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
F4-400R12KS4 B2
H枚chstzul盲ssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
Isolations-Pr眉fspannung
insulation test voltage
t
P
= 1 ms
T
C
= 80擄C
T
C
= 25 擄C
t
P
= 1 ms, T
C
= 80擄C
V
CES
1200
400
570
800
V
I
C,nom.
I
C
I
CRM
A
A
A
T
C
=25擄C, Transistor
P
tot
3000
W
V
GES
+/- 20V
V
I
F
400
A
I
FRM
800
A
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125擄C
It
2
65.000
A
2
s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
2.500
V
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter S盲ttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazit盲t
input capacitance
R眉ckwirkungskapazit盲t
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I
C
= 400A, V
GE
= 15V, Tvj = 25擄C
I
C
= 400A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125擄C
I
C
= 16 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25擄C
V
GE(th)
V
CE sat
min.
-
-
4,5
typ.
3,20
3,85
5,5
max.
3,70
-
6,5
V
V
V
f = 1MHz,T
vj
= 25擄C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
26
-
nF
f = 1MHz,T
vj
= 25擄C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
1,7
-
nF
V
GE
= -15V ... + 15V, V
CE
= 600V
Q
G
-
4,2
-
碌C
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25擄C
I
CES
-
-
5
mA
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25擄C
I
GES
-
-
400
nA
prepared by: A.Schulz
approved by: M.Hierholzer
date of publication : 2001-11-29
revision: 3
1/9
F4-400R12KS4 B2_V3.xls
2001-11-29

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