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BTA1759M3 Datasheet

  • BTA1759M3

  • Cystech Electonics Corp. [High Voltage PNP Epitaxial Planar...

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CYStech Electronics Corp.
High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C309M3
Issued Date : 2003.06.30
Revised Date :
Page No. : 1/4
BTA1759M3
Description
鈥?/div>
High breakdown voltage. (BV
CEO
=-400V)
鈥?/div>
Low saturation voltage, typically V
CE(sat)
= -0.07V at Ic/I
B
=-10mA/-1mA.
鈥?/div>
Wide SOA (safe operation area).
鈥?/div>
Complementary to BTC4505M3.
Symbol
BTA1759M3
Outline
SOT-89
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
B C E
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
Limits
-400
-400
-6
-300
0.6
1
(Note 1)
2
(Note 2)
208
125
(Note 1)
62.5
(Note 2)
150
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
W
W
W
擄C/W
擄C/W
擄C/W
擄C
擄C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
R
胃JA
Tj
Tstg
Note : 1.When mounted on FR-4 PCB with area measuring 10脳10脳1 mm
2.When mounted on ceramic with area measuring 40脳40脳1 mm
BTA1759M3
CYStek Product Specification

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