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BTA1759A3 Datasheet

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CYStech Electronics Corp.
High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor
Spec. No. : C309A3-R
Issued Date : 2003.10.15
Revised Date : 2004.04.02
Page No. : 1/4
BTA1759A3
Description
鈥?/div>
High breakdown voltage. (BV
CEO
=-400V)
鈥?/div>
Low saturation voltage, typical V
CE(sat)
= -0.2V at Ic / I
B
= -20mA /-2mA.
鈥?/div>
Wide SOA (safe operation area).
鈥?/div>
Complementary to BTC4505A3.
Symbol
BTA1759A3
Outline
TO-92
B錛欱ase
C錛欳ollector
E錛欵mitter
EBC
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25擄C)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
Pd
Tj
Tstg
Limits
-400
-400
-7
-300
625
150
-55~+150
Unit
V
V
V
mA
mW
擄C
擄C
BTA1759A3
CYStek Product Specification

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