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BS108 Datasheet

  • BS108

  • DMOS Transistors (N-Channel)

  • 5頁

  • VISHAY   VISHAY

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上傳產(chǎn)品規(guī)格書

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BS108
DMOS Transistors (N-Channel)
TO-92
.181 (4.6)
min. .492 (12.5) .181 (4.6)
.142 (3.6)
FEATURES
鈾?/div>
鈾?/div>
鈾?/div>
鈾?/div>
鈾?/div>
鈾?/div>
鈾?/div>
鈾?/div>
鈾?/div>
鈾?/div>
High breakdown voltage
High input impedance
Low gate threshold voltage
Low drain-source ON resistance
High-speed switching
No minority carrier storage time
CMOS logic compatible input
No thermal runaway
No secondary breakdown
Specially suited for telephone subsets
max.
鈭?/div>
.022 (0.55)
.098 (2.5)
D
G
S
MECHANICAL DATA
Case:
TO-92 Plastic Package
Weight:
approx. 0.18 g
On special request, this transistor is also manu-
factured in the pin configuration TO-18.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 擄C ambient temperature unless otherwise specified
Symbol
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage (pulsed)
Drain Current (continuous)
Power Dissipation at T
amb
= 25 擄C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
1)
Value
240
240
鹵20
230
0.83
1)
150
鈥?5 to +150
Unit
V
V
V
mA
W
擄C
擄C
V
DSS
V
DGS
V
GS
I
D
P
tot
T
j
T
S
Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Inverse Diode
Symbol
Max. Forward Current (continuous)
at T
amb
= 25 擄C
Forward Voltage Drop (typ.)
at V
GS
= 0, I
F
= 0.75 A, T
j
= 25 擄C
I
F
V
F
Value
0.75
0.85
Unit
A
V
4/98

BS108 產(chǎn)品屬性

  • ON Semiconductor

  • MOSFET

  • N-Channel

  • 200 V

  • +/- 20 V

  • 250 mA

  • 8 Ohms

  • Single

  • + 150 C

  • Through Hole

  • TO-92

  • Bulk

  • 0.33 S

  • - 55 C

  • 0.35 W

  • 1000

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  • 型號
    版本
    描述
    廠商
    下載
  • 英文版
    SIPMOS Small-Signal Transistor
    INFINEON
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
    TEMIC
  • 英文版
    Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts
    ONSEMI
  • 英文版
    TMOS Switching(N-Channel-Enhancement)
    MOTOROLA
  • 英文版
    N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs
    VISHAY
  • 英文版
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
    DIODES
  • 英文版
    N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    TMOS Switching(N-Channel-Enhancement)
    MOTOROLA [...
  • 英文版
    Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts
    ONSEMI [ON...
  • 英文版
    SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode L...
    SIEMENS [S...
  • 英文版
    SIPMOS Small-Signal Transistor
    INFINEON [...
  • 英文版
    N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors
    TEMIC [TEM...
  • 英文版
    N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
    PHILIPS [P...
  • 英文版
    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
    DIODES [Di...
  • 英文版
    N-Channel 200-V (D-S) MOSFETs
    VISAY [Vis...
  • 英文版
    DMOS Transistors (N-Channel)
    VISHAY
  • 英文版
    N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
    PHILIPS
  • 英文版
    200 VOLTS N-CHANNEL TMOS POWER FET LOGIC LEVEL
    MOTOROLA
  • 英文版
    Small Signal MOSFET 250 mAmps, 200 Volts, Logic Level
    ONSEMI
  • 英文版
    N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
    PHILIPS [P...

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