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2N5461 Datasheet

  • 2N5461

  • P-Channel JFETs

  • 60.18KB

  • Vishay   Vishay

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2N/SST5460 Series
Vishay Siliconix
P-Channel JFETs
2N5460
2N5461
2N5462
PRODUCT SUMMARY
Part Number
2N/SST5460
2N/SST5461
2N/SST5462
SST5460
SST5461
SST5462
V
GS(off)
(V)
0.75 to 6
1 to 7.5
1.8 to 9
V
(BR)GSS
Min (V)
40
40
40
g
fs
Min (mS)
1
1.5
2
I
DSS
Min (mA)
鈥?
鈥?
鈥?
FEATURES
D
D
D
D
High Input Impedance
Very Low Noise
High Gain: A
V
= 80 @ 20
mA
Low Capacitance: 1.2 pF Typical
BENEFITS
D
Low Signal Loss/System Error
D
High System Sensitivity
D
High-Quality Low-Level Signal
Amplification
APPLICATIONS
D
Low-Current, Low-Voltage Amplifiers
D
High-Side Switching
D
Ultrahigh Input Impedance
Pre-Amplifiers
DESCRIPTION
The 2N/SST5460 series are p-channel JFETs designed to
provide all-around performance in a wide range of amplifier
and analog switch applications.
The 2N series, TO-226AA (TO-92), and SST series, TO-236
(SOT-23), plastic packages provide low cost options, and are
available in tape-and-reel for automated assembly, (see
Packaging Information).
TO-226AA
(TO-92)
1
2N5460
2N5461
2N5462
D
1
TO-236
(SOT-23)
SST5460 (B0)*
SST5461 (B1)*
SST5462 (B2)*
*Marking Code for TO-236
S
D
2
3
S
2
G
G
3
Top View
Top View
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 V
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?0 mA
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5 to 150_C
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 鈥?5 to 150_C
Lead Temperature (
1
/
16
鈥?from case for 10 sec.) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C
Power Dissipation
a
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 mW
Notes
a. Derate 2.8 mW/_C above 25_C
Document Number: 70262
S-04030鈥擱ev. D, 04-Jun-01
www.vishay.com
9-1

2N5461 產(chǎn)品屬性

  • 1,000

  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品

  • JFET（結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)

  • -

  • 2mA @ 15V

  • -

  • -

  • P 溝道

  • 40V

  • 1V @ 1µA

  • 7pF @ 15V

  • -

  • 通孔

  • 散裝

  • TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體

  • TO-92-3

  • 350mW

  • 2N5461OS

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