1N8032-GA
Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2.5A Through Hole TO-257
73.00KB
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停產(chǎn)
-
管件
停產(chǎn)
SiC(Silicon Carbide)Schottky
650 V
2.5A
1.3 V @ 2.5 A
無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
0 ns
5 μA @ 650 V
274pF @ 1V,1MHz
通孔
TO-257-3
TO-257
-55°C ~ 250°C