MOSFET的開關(guān)速度是電源設(shè)計、電機驅(qū)動、高頻逆變等場景的核心性能指標，直接決定電路的開關(guān)損耗、工作頻率及系統(tǒng)效率。在影響MOSFET開關(guān)速度的諸多參數(shù)中，柵極電荷Qg（GateCharge）是最關(guān)鍵的參數(shù)之一，卻常被工程...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2026-03-02 閱讀：249
MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)由柵極電壓精準控制，柵極需獲得足夠電壓以驅(qū)動溝道形成，確保器件穩(wěn)定工作。實際電路設(shè)計中，柵極電壓不足是常見故障誘因，多源于驅(qū)動電路設(shè)計不當、電壓跌落、參數(shù)匹配失誤等，會引發(fā)器件性...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2026-01-23 閱讀：230
MOSFET作為電壓控制型功率器件，其柵極驅(qū)動電路的設(shè)計直接決定器件開關(guān)性能、工作效率與可靠性。柵極驅(qū)動的核心是為MOSFET柵極提供符合要求的驅(qū)動電壓與電流，實現(xiàn)器件快速、穩(wěn)定的導(dǎo)通與關(guān)斷，同時規(guī)避過壓、過流、...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2026-01-19 閱讀：416
MPS推出車規(guī)級三相柵極驅(qū)動器IC新產(chǎn)品
MPS芯源系統(tǒng)（NASDAQ代碼：MPWR）近日發(fā)布的新產(chǎn)品MPQ6539-AEC1，是一款專為三相無刷直流（BLDC）電機驅(qū)動器而設(shè)計的柵極驅(qū)動器IC，其輸入電壓高達80V，可驅(qū)動由六個N溝道功率MOSFET組成的三個半橋的車規(guī)級柵極驅(qū)動...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2025-08-12 閱讀：1871 關(guān)鍵詞：車規(guī)級三相柵極驅(qū)動器
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種在電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的功率半導(dǎo)體器件，其柵極驅(qū)動的相關(guān)參數(shù)對于器件的性能和可靠性至關(guān)重要。下面我們將詳細探討 IGBT 柵極驅(qū)動電壓的選擇以及柵極驅(qū)動功率的計算方法。驅(qū)動電...
柵極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）詳解柵極（G）、源極（S）、漏極（D）是場效應(yīng)晶體管（FET，包括MOSFET和JFET）的三個核心電極，其功能和工作原理如下：1. 柵極（Gate, G）功能：控制溝道導(dǎo)通/關(guān)斷的控...
安森美 EliteSiC MOSFET 與柵極驅(qū)動器：電動汽車電力系統(tǒng)創(chuàng)新引領(lǐng)者
在歐盟 2035 年零排放目標等一系列雄心勃勃的計劃推動下，全球范圍內(nèi)從化石燃料向電動汽車（EV）的轉(zhuǎn)型正在以前所未有的速度加速進行。為了在市場中吸引消費者，電動汽車必...
分類：基礎(chǔ)電子 時間：2025-07-10 閱讀：391 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
深度解析：柵極驅(qū)動電路 VCC 電源去耦電容容值計算方法
在電子電路設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET 柵極驅(qū)動器電路的設(shè)計至關(guān)重要。而在該電路中，為 VCC 電源添加去耦電容這一操作，并非隨意為之。去耦電容容值的計算需要綜合考慮電路需求和實...
解析 Littelfuse SMFA：非對稱 TVS 二極管助力 SiC MOSFET 高效柵極保護
在當今的電源和電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 的應(yīng)用正變得越來越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步，開關(guān)損耗也在持續(xù)降低。然而，隨著開關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計人...
分類：安防監(jiān)控 時間：2025-06-24 閱讀：338 關(guān)鍵詞： TVS 二極管
Toshiba-東芝推出新款面向車載直流有刷電機的柵極驅(qū)動器IC，助力縮小設(shè)備尺寸
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出面向車載直流有刷電機的新款柵極驅(qū)動器IC[1]的工程樣品——TB9103FTG，可用于包括電動尾門、電動滑動門驅(qū)動閂鎖電機[2]和鎖定電機[3]，以及電動車窗和電動...
時間：2024-10-11 閱讀：544 關(guān)鍵詞：柵極驅(qū)動器IC
降低電機驅(qū)動風(fēng)險：柵極驅(qū)動器隔離的關(guān)鍵作用
功能安全的核心在于確保系統(tǒng)即使在遇到內(nèi)部故障或外部干擾時也能以可預(yù)測且安全的方式運行。在電機驅(qū)動器中，這需要降低與電氣、機械和軟件故障相關(guān)的風(fēng)險。這可確保系統(tǒng)在所有可預(yù)見的情況下可靠運行，并防止受傷、...
高壓柵極驅(qū)動器對于確?？煽康乜刂齐妱悠囍械碾娏髦陵P(guān)重要。從控制逆變器的 IGBT 或 MOSFET 的開關(guān)到監(jiān)控和管理電池的充電狀態(tài)、健康狀況和熱條件，高壓驅(qū)動器可確保對開關(guān)事件進行精確控制。電機控制單元和車載充...
氧化物/SiC界面會在關(guān)鍵器件參數(shù)（如閾值電壓（V）上產(chǎn)生較大的偏移第）、導(dǎo)通狀態(tài)電阻 （RDS（開）），并且早期生存期失敗。柵極氧化層處理（包括氮化）的改進導(dǎo)致柵極氧...
分類：電子測量 時間：2024-08-06 閱讀：569 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
采用符合 ASIL-D 標準的柵極驅(qū)動器滿足汽車功能安全要求
Scale EV 系列柵極驅(qū)動器是符合汽車認證標準的雙通道即插即用驅(qū)動器。這些電路板兼容碳化硅 MOSFET 和硅 IGBT。電動、混合動力和燃料電池汽車（例如公共汽車和卡車）以及建...
GaN 是一種二元化合物，由一個鎵原子（III 族，Z = 31）和一個氮原子（V 族，Z = 7）組成，具有纖鋅礦六方結(jié)構(gòu)。鎵原子和氮原子通過非常強的離子化學(xué)鍵結(jié)合在一起，從而產(chǎn)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-06-21 閱讀：1435 關(guān)鍵詞： GaN 晶體管
正式發(fā)布 極海首款GHD3440電機專用柵極驅(qū)動器，構(gòu)建多元電機產(chǎn)品矩陣
柵極驅(qū)動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號，從而實現(xiàn)功率器件更有效的導(dǎo)通和關(guān)斷。隨著各種智能電子設(shè)備的不斷普及和應(yīng)用，柵極驅(qū)動器的市場需求也在不斷增加。據(jù)國際權(quán)威研究機構(gòu)...
集成電路 p 柵極 GaN HEMT 中的柵極過壓穩(wěn)定性
功率轉(zhuǎn)換器中使用的氮化鎵 (GaN) 器件具有多種優(yōu)勢，包括更高的效率、功率密度和高頻開關(guān)。橫向 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件在此類應(yīng)用中實現(xiàn)了強勁的市場增長...
本文將闡述系統(tǒng)能效的重要性，并簡要說明 SiC 柵極驅(qū)動器的選擇標準，包括 SiC 功耗、SiC 導(dǎo)通和關(guān)斷基本原理以及如何減少開關(guān)損耗。此外，我們將介紹首款集成負偏壓的 3.75 kV 柵極驅(qū)動器 NCP(V)51752?！ ∧苄?..
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-29 閱讀：399 關(guān)鍵詞：碳化硅柵極驅(qū)動器
ShinDengen - 用于防止極性反接和反向電流的High-side Nch-MOSFET柵極驅(qū)動器IC發(fā)售
新電元工業(yè)株式會社推出了High-side Nch-MOSFET柵極驅(qū)動器IC“MF2007SW”。本產(chǎn)品與Nch-MOSFET組合，可作為理想二極管使用，為車載設(shè)備的小型化和低功耗化做貢獻。 另外，與兩個Nch-MOSFET組合，還可作為雙向?qū)ǖ?..
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-05-24 閱讀：1028 關(guān)鍵詞：MOSFET柵極驅(qū)動器
無芯變壓器隔離適用于電動汽車和工業(yè)應(yīng)用的 SiC 柵極驅(qū)動器
隨著對更高電壓運行和更高效率的要求，最新的電動汽車和工業(yè)電源系統(tǒng)趨勢推動了電力系統(tǒng)設(shè)備的更高集成度和安全性。實現(xiàn)這些功能的關(guān)鍵要素是隔離柵極驅(qū)動器。在隔離柵極驅(qū)...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2024-04-30 閱讀：1586 關(guān)鍵詞：SiC 柵極驅(qū)動器
