二極管恢復(fù)電荷 二極管在關(guān)斷期間的開關(guān)特性如圖1所示?！ 」β识O管的關(guān)斷特性： a) 電流變化 if ； b) 電壓降vf 的變化； c) 功率損耗的變化 圖 1. 功率二極管的...
分類：電源技術(shù) 時間：2025-01-09 閱讀：721 關(guān)鍵詞：開關(guān)損耗
非零上升時間造成的損耗 圖 1 顯示了 E 類功率放大器的典型開關(guān)波形?！ ≡?E 類放大器中切換電流和電壓波形?！ D 1.E 類放大器中的典型開關(guān)電流 （頂部） 和電壓 ...
分類：模擬技術(shù) 時間：2024-10-31 閱讀：320
MOSFET 的工作方式可分為兩種基本模式：線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高。溝道兩端的電壓和流過溝道的電流都很大，導(dǎo)致晶體管的功耗很高?！ ≡陂_關(guān)模...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2024-04-29 閱讀：620 關(guān)鍵詞：MOSFET開關(guān)
Vishay 新款第5代TO－244封裝FRED Pt 600 V Ultrafast整流器，具有出色導(dǎo)通和開關(guān)損耗特性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款新型TO-244 封裝第5代 FRED Pt? 600 V Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors整流器新款240 A、300 A、480 A和 600 A具有出色導(dǎo)通和開關(guān)...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2022-08-22 閱讀：844 關(guān)鍵詞：電子
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可將開關(guān)損耗降低50%，同時加快產(chǎn)品上市時間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)
隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運(yùn)輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標(biāo)，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步完善其豐富的碳化硅MOSFET分立和模塊產(chǎn)品組合，Microchi...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2021-09-24 閱讀：946 關(guān)鍵詞：Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可將開關(guān)損耗降低50%，同時加快產(chǎn)品上市時間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)MOSFET
關(guān)于開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗問題探討
本文將探討開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗?！ ￡P(guān) 開關(guān)損耗 見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示?！ 『唵蔚卣f，同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)（高邊＋低邊）是對VIN和GND電壓...
時間：2020-04-07 閱讀：536 關(guān)鍵詞：關(guān)于開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗問題探討開關(guān)損耗
一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準(zhǔn)確...
分類：電子測量 時間：2019-06-24 閱讀：2749 關(guān)鍵詞：測量開關(guān)
ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導(dǎo)通和開關(guān)損耗在同類器件中達(dá)到最佳水平，提高高頻逆...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2019-05-21 閱讀：1293 關(guān)鍵詞：ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復(fù)整流器降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗整流器,開關(guān)損耗
開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗測試（連載六）:損耗測試步驟要點(diǎn)
電磁流量計目前在工業(yè)生產(chǎn)使用相當(dāng)普遍的了，尤其是在涉及到水流測量的領(lǐng)域中更是常見，甚至許多自來水公司的大口徑的水量測量都是在使用電磁流量計，本文針對的是空調(diào)冷凍水的測量案例分析，具體的情況如下：某機(jī)場...
分類：電子測量 時間：2018-11-09 閱讀：853 關(guān)鍵詞：開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗測試（連載六）:損耗測試步驟要點(diǎn)開關(guān)損耗
摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過...
時間：2018-08-14 閱讀：842 關(guān)鍵詞：MOSFET,帶電插拔,緩啟動,開關(guān)損耗
Vishay推出新款超快二極管，優(yōu)化系統(tǒng)開關(guān)損耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布11款新型Gen2 650V FRED Pt?超快二極管?！癏”系列裸片器件適用于頻率在40kHz以上的應(yīng)用，具有極快的...
分類：元器件應(yīng)用 時間：2013-06-03 閱讀：2630 關(guān)鍵詞：Vishay推出新款超快二極管，優(yōu)化系統(tǒng)開關(guān)損耗Vishay超快二極管優(yōu)化系統(tǒng)
金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體...
分類：模擬技術(shù) 時間：2011-03-29 閱讀：2980 關(guān)鍵詞：利用MOSFET降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗FDMS86252
開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（考慮交疊開關(guān)損耗）
交疊開關(guān)損耗（或稱為電壓電流重疊損耗），可以根據(jù)某時段內(nèi)電壓電流的動態(tài)曲線按照上升電流和下降電壓的斜率進(jìn)行計算。圖（a）示出了最 理想的曲線，但實際上它很難達(dá)到?！ ∪鐖D 開關(guān)管的電壓電流重疊曲線 對...
分類：電源技術(shù) 時間：2008-10-06 閱讀：2435 關(guān)鍵詞：開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（考慮交疊開關(guān)損耗）調(diào)節(jié)器
開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（忽略交疊開關(guān)損耗）
了解了開關(guān)管V和續(xù)流二極管D的電流D（見圖d、e）就可以計算電路的損耗和效率。若電流流過開關(guān)管V和二極管D時導(dǎo)通壓降為零，則總的損耗就為零，效率為100％，V關(guān)斷時，其承受電壓為Udc，但電流為零，因此損耗為零；V...
分類：電源技術(shù) 時間：2008-10-06 閱讀：1532 關(guān)鍵詞：開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率（忽略交疊開關(guān)損耗）調(diào)節(jié)器
