光電探測器（Photodetector）的定義光電探測器是一種將光信號（光子）轉換為電信號（電流或電壓）的半導體器件，廣泛應用于光通信、成像、傳感、測距等領域。其核心原理是光電效應（光子激發(fā)電子躍遷，產(chǎn)生可測電信...
隨著鋰離子電池價格的持續(xù)下降，它們正在迅速取代傳統(tǒng)上用于汽車和其他交通工具的鉛酸電池。這導致廢舊鉛酸電池突然大量涌現(xiàn)，如果回收不當，將對環(huán)境和人類造成危害。為了...
據(jù)報道，激光雷達(LiDAR)與其它傳感器技術(攝像頭、雷達和超聲波)的相互競爭增加了對傳感器融合的需求，同時也要求對光電探測器、光源和MEMS微鏡的仔細甄選。 隨著傳感...
分類：傳感技術 時間：2018-08-02 閱讀：1651 關鍵詞：如何選擇汽車LiDAR的激光器和光電探測器LiDAR,激光器,傳感器
據(jù)麥姆斯咨詢報道，激光雷達（LiDAR）與其它傳感器技術（攝像頭、雷達和超聲波）的相互競爭增加了對傳感器融合的需求，同時也要求對光電探測器、光源和MEMS微鏡的仔細甄選...
分類：汽車電子/智能駕駛 時間：2017-12-20 閱讀：967 關鍵詞：光電探測器,激光雷達,lidar
據(jù)麥姆斯咨詢報道，激光雷達（LiDAR）與其它傳感器技術（攝像頭、雷達和超聲波）的相互競爭增加了對傳感器融合的需求，同時也要求對光電探測器、光源和MEMS微鏡的仔細甄選...
分類：元器件應用 時間：2017-11-21 閱讀：914 關鍵詞：汽車LiDAR的激光器和光電探測器選用建議
摘要：對一種響應近紅外的新型量子光電探測器特性進行測試和分析，給出了2×8探測器陣列和讀出電路的對接測試結果，設計初步的成像系統(tǒng)采集顯示焦平面輸出。探測器有一個-0...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2013-08-30 閱讀：2800 關鍵詞：新型量子光電探測器讀出與顯示光電探測器探測器紅外探測光照
光敏應用的首要工作是讓跨阻抗放大器電路擁有良好的穩(wěn)定性。WEBENCH? 設計器工具 TI 開發(fā)人員致力于為客戶提供擁有 60°相位裕量的光敏設計，也即約 8.7% 的階躍輸入信號過...
分類：電子測量 時間：2012-12-29 閱讀：3243 關鍵詞：WEBENCH工具與光電探測器穩(wěn)定性WEBENCH工具光電探測器穩(wěn)定性
（1）各種光電探測器的性能比較在動態(tài)特性（即頻率響應與時間響應）方面，以光電倍增管和光電二極管（尤其是PIN管與雪崩管）為最好；在光電特性（即線性）方面，以光電倍增管、光電二極管和光電池為最好；在靈敏度方...
分類：電子測量 時間：2008-12-06 閱讀：6816 關鍵詞：各種光電探測器的性能比較和應用選擇光電探測器
光電儀器研發(fā)的前提是社會需求，設計者把需求轉化成儀器的質量指標和設計參數(shù)通過相關的資料、專利、文獻的查詢和必要的實驗驗證，然后進行總體設計（或綜合化設計）。盡管現(xiàn)代光電儀器是多個高新技術的綜合體，但作...
分類：電子測量 時間：2008-12-06 閱讀：2354 關鍵詞：光學系統(tǒng)與光電探測器電探測器
為了減小氧化層殘余電荷引起界面陷阱中心使載流子消失以提高轉移效率，可以在氧化層和襯底之間增加一層隱埋層使轉移溝道從表面移向體內(nèi)。由圖1（b）可以看出，勢能極小值脫離了界面進入了體內(nèi)，避免了表面態(tài)的影響，...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2952 關鍵詞：光電探測器陣列CCD轉移特性探測器
目前廣泛使用的攝像器件是CCD型攝像器件。CCD于1970年由貝爾實驗室發(fā)明［82］，此后關于CCD的研究蓬勃發(fā)展，CCD最小像素尺寸由1972年的40um減小到了1995年的5 gm，像素單元也從最早的不足2000增加到兩千六百多萬［83...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：3099 關鍵詞：光電探測器陣列CCD攝像器件MOSFET探測器
將多個PN型光電探測器組成陣列，可以形成光電成像系統(tǒng)中的攝像器件。攝像器件的功能是將照射到探測器陣列上的光學圖像信息以電信號形式按時序串行輸出。常見的固體攝像器件有CMOS（Complementary Metal Oxide Semico...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：3016 關鍵詞：光電探測器陣列攝像器件的像素基本結構DEVICESEMICONDUCTORCMOSCOMPLEMENTARY探測器
集成的探測器BiCMOS工藝僅僅是為了制作集成性能更好的光電探測器；其中電路部分則不是決定性的因素。 圖1 基于標準SBC BiCMOS工藝的PIN光電二極管 圖1中介紹了—種基于0.6 gm標準SBC BiCMOS工藝的PIN光電二極...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2240 關鍵詞：工藝下集成光電探測器探測器
一種利用標準CMOS工藝實現(xiàn)的旨在消除緩慢載流子擴散對探測器頻率響應產(chǎn)生影響的空間調制光電探測器（Spatially-Modulated-Light Detector）結構被提出[57]，如圖1（a）所示。由N+擴散和N阱形成六個叉指探測區(qū)域，N+...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2686 關鍵詞：空間調制光電探測器CMOS探測器
圖1 TSMC 0.35pm CMOS工藝參數(shù)下光電探測器的器件模擬 圖1（a）模擬了工作二極管響應電流與外加反壓的關系曲線，三條曲線分別為無光照、光照強度分別為1WZcm2、25w/cm2，光波長為0.85gm時工作二極管的響應電流...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：2770 關鍵詞：工藝參數(shù)下光電探測器的器件模擬LUCENTCMOS探測器
圖1給出了在器件模擬軟件Atlas中輸入的器件結構、外加電壓示意圖和經(jīng)二維模擬得出的pn結的位置和耗盡區(qū)位置［56］，從圖可見，N阱與P＋區(qū)構成一個二極管，稱為工作二極管D。；N阱與襯底構成一個二極管，稱為屏蔽二極...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-02 閱讀：1969 關鍵詞：二維器件模擬光電探測器的結構CMOS探測器
CM0S工藝是最為重要的微電子制造技術，具有廉價、可批量制造、成品率高等優(yōu)點。早期的CMOS工藝通常采用單阱工藝，單阱工藝只含一個阱（N阱或者P阱）。若為P型襯底則將NMOS直接制作在襯底上，而將PMOS寺刂作在N阱中；...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-01 閱讀：3850 關鍵詞：基于硅基CMOS工藝的集成光電探測器SILICONCMOSLATCH探測器
圖1給出了一種基于透射深度相關的強波長全硅彩色傳感器結構陽。彩色傳感器與所必需的電信號處理電路以雙極工藝集成在一起?！ +-N型光電二極管采用在電阻率p＝6Ω·cm的N型外延層上注入硼形成。光電二極管的P＋陽...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-01 閱讀：2176 關鍵詞：集成光電探測器彩色傳感器傳感器
目前，長距離通信用的光接收器探測器都是用III-V族化合物材料制作的，其傳輸速率已經(jīng)超過了40Gb/s，然而，Ill-V族材料的光接收器和OEIC價格昂貴，對于短距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?，例如局域網(wǎng)、光纖入戶和板級光互連等并不...
分類：光電顯示/LED照明 時間：2008-12-01 閱讀：1825 關鍵詞：基于硅基雙極型工藝的光電探測器CMOS探測器
