CCD（電荷耦合器件）架構(gòu)的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)
我發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體區(qū)域既可以充當(dāng)光敏元件又可以充當(dāng)電荷轉(zhuǎn)移器件，這在某種程度上是違反直覺(jué)的，但這正是 FF CCD 中發(fā)生的情況。在積分過(guò)程中，像素位置響應(yīng)入射光子而積累電荷。積分后，電荷包通過(guò)像素位置垂直移動(dòng)到水...
用于 CCD 讀出的電荷耦合器件時(shí)鐘技術(shù)
CCD 電壓非?！胺菢?biāo)準(zhǔn)”。高電平時(shí)鐘電壓通常大于我們用于 CMOS 邏輯的電壓，而低電平電壓通常延伸到地電位以下?！ ∥译S機(jī)選擇了一些 CCD 數(shù)據(jù)表，為您提供一些預(yù)期的示...
CCD 以及將它們集成到功能系統(tǒng)中的工程師出人意料地擅長(zhǎng)防止數(shù)千或數(shù)百萬(wàn)電子束在從像素點(diǎn)到讀出放大器的過(guò)程中發(fā)生混淆。然而，如果由于某種原因我們希望一個(gè)像素的電荷與另一個(gè)像素的電荷混合，CCD 的結(jié)構(gòu)使這一點(diǎn)...
60年代和70年代充滿了輝煌的發(fā)現(xiàn)、發(fā)明和技術(shù)進(jìn)步，尤其是內(nèi)存技術(shù)。威拉德·博伊爾和喬治·史密斯在探索金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)在半導(dǎo)體“氣泡”存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)中的應(yīng)用時(shí)取得了當(dāng)時(shí)的一項(xiàng)重要發(fā)現(xiàn)。 研究小組...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2022-07-25 閱讀：947 關(guān)鍵詞：電荷耦合器
系統(tǒng)管理 如果設(shè)計(jì)師想要盡可能地提高性能和用戶體驗(yàn)，那么管理系統(tǒng)的熱性能是現(xiàn)代電子系統(tǒng)中十分關(guān)鍵的內(nèi)容。隨著系統(tǒng)功能變得越來(lái)越強(qiáng)大，并且在很多情況下尺寸也越來(lái)...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2015-11-24 閱讀：1316 關(guān)鍵詞：信號(hào)鏈基礎(chǔ)知識(shí)：用子系統(tǒng)過(guò)流檢測(cè)和監(jiān)視重新審視系統(tǒng)級(jí)管理- 電荷耦合器件 （CCD） 傳感器, 過(guò)流檢測(cè)器, 成像模擬前端 （AFE）
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