一、核心導通原理P溝道MOS管(PMOS)的導通本質上是通過柵極施加負電壓來形成導電溝道。當柵源電壓 VGSVGS 低于閾值電壓 VGS(th)VGS(th)(典型值-0.5V至-5V)時,柵極下方的P型半導體中會感應出空穴導電通道,實現(xiàn)源...
MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點: 制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,集成度高、抗干擾能力強,特別適合于大規(guī)模集成電路。 MOS...
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