如何選擇及應(yīng)用MOS開(kāi)關(guān)管
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個(gè)系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要專(zhuān)...
分類(lèi)：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2023-06-08 閱讀：216 關(guān)鍵詞：MOS開(kāi)關(guān)管
提升開(kāi)關(guān)電源效率和可靠性：半橋諧振LLC+CoolMOS開(kāi)關(guān)管！
近來(lái)，LLC拓?fù)湟云涓咝?，高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開(kāi)關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET 的要求卻超過(guò)了以往任何一種硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過(guò)載...
時(shí)間：2019-06-14 閱讀：1723 關(guān)鍵詞：開(kāi)關(guān)電源,開(kāi)關(guān)管
提升開(kāi)關(guān)電源效率和可靠性：半橋諧振LLC+CoolMOS開(kāi)關(guān)管
電源反饋光耦CTR過(guò)大，過(guò)??？到底有何影響？ 通知：張飛無(wú)人機(jī)配件、正激、視頻教程已在官方商城上架（點(diǎn)擊藍(lán)字查看詳情）！ 1.摘要 近來(lái)， LLC拓?fù)湟云涓咝В?..
分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2018-01-24 閱讀：1213 關(guān)鍵詞：提升開(kāi)關(guān)電源效率和可靠性：半橋諧振LLC+CoolMOS開(kāi)關(guān)管
半橋諧振LLC+CoolMOS開(kāi)關(guān)管電路解析
1.摘要 近來(lái)， LLC拓?fù)湟云涓咝?，高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開(kāi)關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過(guò)了以往任何一種硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過(guò)載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢...
分類(lèi)：電源技術(shù) 時(shí)間：2017-03-08 閱讀：4020 關(guān)鍵詞：半橋諧振LLC+CoolMOS開(kāi)關(guān)管電路解析
MOS開(kāi)關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用
一般情況下普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS,導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓。而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時(shí)柵極電壓要比VCC大4V或10V.如果在...
時(shí)間：2013-09-10 閱讀：33125 關(guān)鍵詞：MOS開(kāi)關(guān)管的選擇及原理應(yīng)用MOS開(kāi)關(guān)管PMOS管
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