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元器件應用

IGBT器件介紹 IGBT結構與工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件,即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件。它結合了雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)的特點,能夠實現(xiàn)高電壓...

分類:元器件應用 時間:2024-06-24 閱讀:947 關鍵詞:IGBT器件

表面貼裝技術(SMT)簡介

SMT(Surface Mounted Technology,表面組裝技術或表面貼裝技術)是一種將無引腳 短引線表面組裝元器件(簡稱片狀元器件)安裝在PCB(Printed Circuit Board,印制電路板)的表面或其他基板的表面上,通過再流焊或浸焊...

分類:元器件應用 時間:2024-06-24 閱讀:1214 關鍵詞:SMT

凹槽柵極技術革新 E-Mode GaN 晶體管

GaN 是一種二元化合物,由一個鎵原子(III 族,Z = 31)和一個氮原子(V 族,Z = 7)組成,具有纖鋅礦六方結構。鎵原子和氮原子通過非常強的離子化學鍵結合在一起,從而產...

分類:元器件應用 時間:2024-06-21 閱讀:1435 關鍵詞: GaN 晶體管

三相變壓器:應用和連接配置

變壓器的功能和應用  變壓器的類型和用途多種多樣,可根據(jù)其應用、結構類型和尺寸進行分類。  一般來說,變壓器的主要功能是改變交流電(AC)的電壓水平,提高電壓以供長距離傳輸或降低電壓以供家庭和工業(yè)消費者...

分類:元器件應用 時間:2024-06-21 閱讀:1130 關鍵詞:三相變壓器

在電源中使用快速恢復二極管 MOSFET

“超級結”技術憑借其優(yōu)異的品質因數(shù)在擊穿電壓超過 600 V 的功率 MOSFET 市場占據(jù)主導地位。工程師在設計基于超級結的功率器件時必須考慮某些因素,以提高電源應用的效率...

分類:元器件應用 時間:2024-06-14 閱讀:660 關鍵詞:二極管,MOSFET

Toshiba -東芝推出“XCUZ系列”浪涌保護齊納二極管產品,適用于汽車設備

該系列產品符合AEC-Q101標準,適用于汽車設備(IVI[2]、ADAS[3]、BMS[4]等)。同時可避免受到各種來自車載ECU[1]電源線和連接器的噪聲(靜電放電(ESD)、納秒級ESD、微秒級到毫秒級開關浪涌等)的影響,并防止系統(tǒng)...

分類:元器件應用 時間:2024-06-13 閱讀:625 關鍵詞:保護齊納二極管

自耦變壓器工作原理介紹及圖解

自耦變壓器(Autotransformer)是一種特殊類型的變壓器,它只有一個繞組,但在電氣上可以實現(xiàn)升壓或降壓的功能。自耦變壓器與普通變壓器的最大區(qū)別在于它們的繞組結構和能量傳遞方式。下面是對自耦變壓器工作原理的...

分類:元器件應用 時間:2024-06-13 閱讀:1673 關鍵詞:自耦變壓器

adc0809模數(shù)轉換程序及詳解

一、ADC0809的主要特性8路輸入通道,8位A/D轉換器,即分辨率為8位。具有轉換起停控制端。轉換時間為100μs(時鐘為640KHz時),130μs(時鐘為500KHz時)。單個+5V電源供電。模擬輸入電壓范圍0~+5V,不需零點和滿刻...

分類:元器件應用 時間:2024-06-06 閱讀:1003 關鍵詞:ADC0809

共模半導體推出40V,3ppm/℃低噪聲、高精度基準電壓GM7400,可替代ADI的ADR01等產品

『共模半導體』推出40V,3ppm/℃低噪聲、高精度基準電壓GM7400,GM7400是一款精密基準電壓源,該器件兼具穩(wěn)健的工作特性和極低的漂移與低噪聲。利用先進的曲率補償,該帶隙基準電壓源可實現(xiàn) 3ppm/°C 的漂移和可預知...

分類:元器件應用 時間:2024-06-06 閱讀:543 關鍵詞:GM7400

Toshiba - 東芝擴展U-MOSX-H系列80V N溝道功率MOSFET產品線,助力降低電源功耗

通信基站是現(xiàn)代通信系統(tǒng)中的重要組成部分,數(shù)據(jù)中心也和網(wǎng)絡通訊一樣逐漸成為現(xiàn)代社會基礎設施的一部分,對很多產業(yè)都產生了積極影響。其中,開關電源起著不可忽視的作用,它憑借穩(wěn)定、可靠、高效的供電保證了整個通信...

分類:元器件應用 時間:2024-06-05 閱讀:517 關鍵詞:半導體

什么是共模電感_共模電感的特性

共模電感(Common Mode Inductor),也稱為共模扼流圈,是一種特殊的電感器件,主要用于抑制共模噪聲(Common Mode Noise)。以下是關于共模電感的詳細解釋及其特性:  定義  共模電感是一種具有兩個相鄰線圈的...

分類:元器件應用 時間:2024-06-04 閱讀:939 關鍵詞:共模電感

Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術優(yōu)勢,因此我們不難理解為何它已成為電動汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中...

分類:元器件應用 時間:2024-05-31 閱讀:497 關鍵詞: SiC FET

整流橋接線方法及接線圖

整流橋是一種電路元件,用于將交流電轉換為直流電。它通常由四個二極管組成,排列成一個橋型電路。整流橋接線方法有兩種常見的方式:全波整流和半波整流?! ∪ㄕ鳎骸?..

分類:元器件應用 時間:2024-05-30 閱讀:1039 關鍵詞:整流橋

Onsemi -掌握這些要點,秒變碳化硅柵極驅動器選型專家

本文將闡述系統(tǒng)能效的重要性,并簡要說明 SiC 柵極驅動器的選擇標準,包括 SiC 功耗、SiC 導通和關斷基本原理以及如何減少開關損耗。此外,我們將介紹首款集成負偏壓的 3.75 kV 柵極驅動器 NCP(V)51752。  能效提...

分類:元器件應用 時間:2024-05-29 閱讀:399 關鍵詞:碳化硅柵極驅動器

排阻的詳細說明

排阻又稱網(wǎng)絡電阻,它是由多個電阻器按一定的方式制作并封裝在一起而構成的,排阻具有安裝密度高和安裝方便等優(yōu)點,廣泛用在數(shù)字電路系統(tǒng)中?! 嵨锿庑巍 〕R姷呐抛鑼嵨锿庑稳鐖D1-37所示,前而兩種為直插封裝式...

分類:元器件應用 時間:2024-05-27 閱讀:807 關鍵詞:排阻

鉭電解電容器(CA型)

鉭電解電容器與鋁電解電容器相比較,具有體積小、漏電流小、損耗低、溫度特性好、穩(wěn)定性好、壽命長等優(yōu)點,但價格較高。鉭電解電容器自身電感較小,多用于頻率較高的交流電路中?! °g電解電容器分為固體鉭電解電容...

分類:元器件應用 時間:2024-05-24 閱讀:694 關鍵詞:鉭電解電容器

ShinDengen - 用于防止極性反接和反向電流的High-side Nch-MOSFET柵極驅動器IC發(fā)售

新電元工業(yè)株式會社推出了High-side Nch-MOSFET柵極驅動器IC“MF2007SW”。本產品與Nch-MOSFET組合,可作為理想二極管使用,為車載設備的小型化和低功耗化做貢獻。 另外,與兩個Nch-MOSFET組合,還可作為雙向導通的...

分類:元器件應用 時間:2024-05-24 閱讀:1028 關鍵詞:MOSFET柵極驅動器

tvs二極管簡介、特性及應用

TVS二極管(Transient Voltage Suppression diode),也稱為電壓穿透型二極管,是一種專門設計用來保護電子設備不受過電壓損壞的電子元件?! 『喗椤 VS二極管通常是一種雙向導通的二極管,能夠在電路中對過電壓...

分類:元器件應用 時間:2024-05-23 閱讀:912 關鍵詞:tvs二極管

pmos管的工作原理

PMOS(P-channel Metal-Oxide-Semiconductor)管是一種常見的場效應晶體管(FET),其工作原理如下:  PMOS管由一個p型的溝道和兩個n型的源極和漏極組成。在溝道和源極之間存在一個絕緣層,稱為氧化層或門絕緣層。...

分類:元器件應用 時間:2024-05-20 閱讀:841 關鍵詞:pmos管

HF JFET 的偏置

結型場效應晶體管 (JFET) 通常需要向柵極端子施加一些反向偏置電壓。  在 HF 和 UHF 應用中,通常使用源電阻器 Rs 兩端的電壓提供此偏置(圖 1)?! D 1:JFET 通常需...

分類:元器件應用 時間:2024-05-16 閱讀:702 關鍵詞:結型場效應晶體管

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