什么是金屬氧化膜電阻器？

金屬氧化膜電阻器是定值軸向電阻器。它們由涂有氧化錫等金屬氧化物薄膜的陶瓷棒制成。金屬氧化膜電阻器不得與由氧化鋅或碳化硅制成的金屬氧化物壓敏電阻混淆?！　√匦浴　〗饘傺趸る娮杵髟谝韵滦阅芊矫娉^(guò)了金屬...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-03-05 閱讀：649 關(guān)鍵詞：金屬氧化膜電阻器

IDC 諫早電子開(kāi)發(fā)的成對(duì)晶體管

半導(dǎo)體生產(chǎn)廠的諫早電子開(kāi)發(fā)出成對(duì)晶體管「RT3A66M」、「RT3C66M」?！　”井a(chǎn)品的封裝內(nèi), 裝有兩個(gè)相等hFE值的元件。因此, 溫度變化已做成的電流值差距會(huì)變小。令差分放大電路、電流鏡電路也可以適用?！　?nèi)部線路...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-03-05 閱讀：1436 關(guān)鍵詞：成對(duì)晶體管

MOSFET工作原理和特點(diǎn)

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，常用于電子設(shè)備中作為開(kāi)關(guān)或放大器。以下是MOSFET的工作原理和特點(diǎn)： 工作原理：結(jié)構(gòu)：M...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-03-04 閱讀：756 關(guān)鍵詞：MOSFET

電阻器標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范

SMD 代表表面貼裝器件。SMD 是使用 SMT（即表面貼裝技術(shù)）制造的任何電子元件。SMT 的開(kāi)發(fā)是為了滿足印刷電路板 (PCB) 制造商在將元件組裝到 PCB 時(shí)使用更小元件、更快、更高效、更便宜的持續(xù)愿望。　　SMD 比傳統(tǒng)的...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-03-04 閱讀：2269 關(guān)鍵詞：電阻器

NOVOSENSE - 納芯微推出NSI22C1x系列隔離式比較器， 助力打造更可靠的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)

上海 —— 納芯微宣布推出基于電容隔離技術(shù)的隔離式比較器NSI22C1x系列，該系列包括用于過(guò)壓和過(guò)溫保護(hù)的隔離式單端比較器NSI22C11和用于過(guò)流保護(hù)的隔離式窗口比較器NSI22C12。NSI22C1x系列可用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-02-27 閱讀：687 關(guān)鍵詞：電子

fpc連接器使用方法及注意事項(xiàng)

FPC連接器（Flexible Printed Circuit連接器）是一種用于連接柔性印刷電路板（FPC）或柔性電路板（Flex PCB）的連接器。以下是關(guān)于FPC連接器的使用方法及注意事項(xiàng)：　　使用方法：　　插拔：插入FPC時(shí)，要確保方向正...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-02-20 閱讀：1045 關(guān)鍵詞：fpc連接器

MOS管的四種類型

1. N溝道增強(qiáng)型前面已經(jīng)提及，圖3.3.1 中的 MOS 管屬于 N 溝道增強(qiáng)型。這種類型的MOS管采用P型襯底，導(dǎo)電溝道是 N 型。在vCS=0時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，開(kāi)啟電壓Vcs(u)為正。工作時(shí)使用正電源，同時(shí)應(yīng)將襯底接源極或者接到系...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-02-20 閱讀：614 關(guān)鍵詞：MOS管

繼電器的繼電特性, 繼電器的電路原理

繼電器的繼電特性指的是繼電器在工作時(shí)表現(xiàn)出的特性，主要包括以下幾個(gè)方面：　　隔離性：繼電器在工作時(shí)能夠?qū)⒖刂苹芈泛捅豢刂苹芈犯綦x開(kāi)來(lái)，從而避免高電壓或高電流對(duì)控制回路的影響。　　放大作用：繼電器可以將...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-01-26 閱讀：2501 關(guān)鍵詞：繼電器

什么是IGBT？IGBT的原理

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管。它是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管的優(yōu)點(diǎn)，可以在高電壓和高電流條件下工作，因而被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域?！　∨cMOSFE...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-01-23 閱讀：1089 關(guān)鍵詞：IGBT

什么是耗盡型 MOSFET？

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）比結(jié)型 FET 具有更大的商業(yè)重要性。MOSFET 是具有多種功能的三端器件，涵蓋信號(hào)放大到數(shù)字應(yīng)用，例如邏輯門和寄存器或存儲(chǔ)器陣列。　　耗盡型 n 溝道 MOSFET。圖片由新澤西半...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-01-18 閱讀：1416 關(guān)鍵詞：耗盡型 MOSFET

雷莫（LEMO）推出具有高頻性能的全新多芯同軸型號(hào)

雷莫（LEMO）很高興地宣布在久經(jīng)考驗(yàn)的M系列中新增一款多芯同軸配置，命名為L(zhǎng)M.232，尺寸為L(zhǎng)M，最多可有12個(gè)同軸針芯。這些新的插頭和固定插座是專門為滿足非?？量痰沫h(huán)境條件下最嚴(yán)格的高頻連接要求而設(shè)計(jì)的。　　...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-01-18 閱讀：1965 關(guān)鍵詞：雷莫

Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件， 助力計(jì)算、人工智能、能源和汽車電源系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能和電氣性能

代表著下一代電源系統(tǒng)未來(lái)的，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)先供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。新產(chǎn)品TP65H070G4RS 晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-01-16 閱讀：1710 關(guān)鍵詞：FET器件

MOS 管的四種類型

圖3.3.1 中的 MOS 管屬于 N 溝道增強(qiáng)型。這種類型的MOS管采用P型襯底，導(dǎo)電溝道是 N 型。在vC5=0時(shí)沒(méi)有導(dǎo)電溝道，開(kāi)啟電壓Vcs(u)為正。工作時(shí)使用正電源，同時(shí)應(yīng)將襯底接源極或者接到系統(tǒng)的最低電位上。在圖3.3.1給...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-01-15 閱讀：1156 關(guān)鍵詞：MOS 管

什么是電阻率？（電阻率的計(jì)算公式）

電阻率（resistivity）是指單位長(zhǎng)度、單位橫截面積的導(dǎo)體材料對(duì)電流通過(guò)的阻力大小。它是描述材料本身抵抗電流流動(dòng)的特性的物理量?！　‰娮杪食Ｓ梅?hào)為ρ（rho），單位為Ω·m（歐姆·米）。電阻率的值與導(dǎo)體材料...

分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2024-01-15 閱讀：3479 關(guān)鍵詞：電阻率