晶體二極管開(kāi)關(guān)電路在數(shù)字系統(tǒng)和自動(dòng)化系統(tǒng)里應(yīng)用很廣泛，在晶體二極管開(kāi)關(guān)特性實(shí)驗(yàn)中，其開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中輸出與輸入存在時(shí)間上的延遲或者滯后，研究晶體二極管開(kāi)關(guān)特性主要是研究其開(kāi)關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程所需時(shí)間的長(zhǎng)短。...
AS7261 是一款高度集成的傳感器，可通過(guò)數(shù)字接口提供光學(xué)測(cè)量。AS7261是一種顏色傳感器。這看起來(lái)很簡(jiǎn)單，但如果您查看數(shù)據(jù)表，您可能會(huì)發(fā)現(xiàn)自己對(duì)術(shù)語(yǔ)感到困惑。因此，在我們討論設(shè)備本身之前，讓我們先了解一些相...
如今，圖形處理單元 (GPU) 具有數(shù)百億個(gè)晶體管。隨著每一代新一代 GPU 的出現(xiàn)，GPU 中的晶體管數(shù)量不斷增加，以提高處理器性能。然而，晶體管數(shù)量的增加也導(dǎo)致功率需求呈指數(shù)增長(zhǎng)，這使得滿足瞬態(tài)響應(yīng)規(guī)范變得更加困...
電容是每一個(gè)電路上都會(huì)使用的器件，電容會(huì)應(yīng)用在電源系統(tǒng)中，也會(huì)應(yīng)用于信號(hào)線上。在低速電路中，我們可以把電容稱之為電容，但是在高速電路上或電源系統(tǒng)中，電容已經(jīng)不僅僅是電容，而是一個(gè)由等效電容、等效電阻和...
如何測(cè)量開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的噪聲
就其性質(zhì)而言，nSMPS 的輸出端會(huì)有一些開(kāi)關(guān)噪聲。畢竟，它們?cè)O(shè)計(jì)用于使用脈沖寬度調(diào)制（或脈沖頻率調(diào)制）信號(hào)切換來(lái)自較高直流電源的電流，然后使用 2 極 LC 濾波器對(duì)其進(jìn)行濾波。MOSFET 的開(kāi)關(guān)動(dòng)作產(chǎn)生交替周期，其...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-05-04 閱讀：559 關(guān)鍵詞：開(kāi)關(guān)模式電源
pH 監(jiān)測(cè)和控制應(yīng)用pH 探頭和變送器用于各種行業(yè)的實(shí)驗(yàn)室和控制系統(tǒng)，包括化學(xué)生產(chǎn)、石油化工、水和廢水處理、食品和飲料、制藥和發(fā)電廠。存在無(wú)數(shù)的應(yīng)用程序；有些像管理啤酒廠的麥芽漿 pH 值以生產(chǎn)完美的啤酒一樣新...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-04-28 閱讀：733 關(guān)鍵詞：pH 監(jiān)測(cè)
加速度計(jì)可用于不同的應(yīng)用領(lǐng)域。例如，在汽車應(yīng)用中，加速度計(jì)用于激活安全氣囊系統(tǒng)。相機(jī)使用加速度計(jì)來(lái)主動(dòng)穩(wěn)定圖片。計(jì)算機(jī)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器還依靠加速度計(jì)來(lái)檢測(cè)可能損壞設(shè)備...
浪涌抗擾度怎么測(cè)？我們用這個(gè)A／D轉(zhuǎn)換器試了一下
浪涌抗擾度測(cè)試表明，設(shè)備或設(shè)備在雷擊，或切換重載，或短路故障條件下，引起的工業(yè)電源浪涌等事件中的耐受能力。本文以ADI的AD74115H舉例，如何進(jìn)行浪涌抗擾度測(cè)試。1. 浪涌抗擾度測(cè)試原理及詳細(xì)分析首先明確測(cè)試目...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-04-26 閱讀：493 關(guān)鍵詞：A／D轉(zhuǎn)換器
加速度計(jì)規(guī)格：測(cè)量范圍、靈敏度和噪聲性能
了解有關(guān)數(shù)字和模擬輸出加速度計(jì)的測(cè)量范圍、靈敏度和噪聲性能的電容式 MEMS 加速度計(jì)規(guī)格。用于描述加速度計(jì)的規(guī)格列表通常很長(zhǎng)，有時(shí)甚至令人困惑。在本系列的前幾篇文章中，我們討論了MEMS 加速度計(jì)的頻率響應(yīng)、...
用芯片做阻抗測(cè)量的技術(shù)相對(duì)較新。大約 15 年前，ADI 公司推出了AD5933/AD5934，這是首個(gè)阻抗分析芯片系列。第二代產(chǎn)品 ADuCM350 于 2015 年推出。這兩個(gè)系列目前仍在大量銷售，但對(duì)于目前更新的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，它們并不...
在這個(gè)由兩部分組成的系列文章的第一篇文章中，我們介紹了電磁兼容性 (EMC) 測(cè)試和標(biāo)準(zhǔn)的必要性。由于不可能同時(shí)測(cè)試世界上所有的設(shè)備，因此定義了測(cè)試所有進(jìn)入市場(chǎng)的系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)化方法。第一篇文章談到了傳導(dǎo) EMC 的...
“消聲”一詞的意思是“沒(méi)有回聲”。消聲室指的是設(shè)計(jì)為墻壁、天花板和地板的波反射最小的房間。電子工程師使用電波暗室進(jìn)行電磁兼容性 (EMC)或電磁干擾 (EMI)和射頻測(cè)試。這些腔室的內(nèi)壁經(jīng)過(guò)特殊材料處理，可以吸收...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-04-19 閱讀：507 關(guān)鍵詞：電磁，射頻測(cè)試
噪聲分為兩類：內(nèi)部噪聲和外部噪聲。內(nèi)部噪聲是不可避免的，每個(gè)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部噪聲。LDO 由理想的源供電，這意味著它不受外界影響，因此在輸入端沒(méi)有外部噪聲 (雖然 LDO 在輸出端確實(shí)有內(nèi)部噪聲)。外部噪聲是...
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？1.1 功率損...
與電阻串聯(lián)的理想電容器稱為電容器的等效串聯(lián)電阻。電容器中的等效串聯(lián)電阻或 ESR 是與器件電容串聯(lián)出現(xiàn)的內(nèi)阻。 讓我們看看下面的符號(hào)，它們代表電容器的 ESR。電容器...
了解集成解決方案如何提高電阻式電流檢測(cè)的準(zhǔn)確性
一個(gè)分立放大器連同一些外部增益設(shè)置電阻可用于增加電流檢測(cè)電阻兩端的電壓。盡管此類分立解決方案具有成本效益，但由于外部組件的匹配有限，它們無(wú)法提供高精度。嘗試使用高精度電阻網(wǎng)絡(luò)可能會(huì)抵消使用簡(jiǎn)單分立解決...
電阻并聯(lián)電路是最基本的并聯(lián)電路，所有負(fù)責(zé)的電路都可以轉(zhuǎn)化成電阻串聯(lián)和電阻并聯(lián)電路來(lái)進(jìn)行工作原理的理解。并聯(lián)電路和串聯(lián)電路特性完全不一樣，是完全不同的電路，它們之間不能相互等效（電阻并聯(lián)電路圖）。圖為電...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-04-17 閱讀：527 關(guān)鍵詞：并聯(lián)電路
了解電阻電流檢測(cè)中的放大器失調(diào)電壓和輸出擺幅
我們討論了基于運(yùn)算放大器的放大器以及專用電流檢測(cè)放大器可用于增加電流檢測(cè)電阻兩端的電壓。這些放大級(jí)并不理想，可能會(huì)在我們的測(cè)量中引入誤差。在本文中，我們將討論放大器輸入失調(diào)電壓如何影響我們的測(cè)量精度。...
IGBT等效電路如所示。由可知，若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP...
霍爾效應(yīng)電流檢測(cè)：開(kāi)環(huán)和閉環(huán)配置
電流傳感器廣泛用于各種應(yīng)用。一種常見(jiàn)的技術(shù)是電阻電流感測(cè)，其中測(cè)量分流電阻器兩端的電壓降以確定未知電流?；诜至麟娮杵鞯慕鉀Q方案不提供電流隔離并且不節(jié)能，尤其是在測(cè)量大電流時(shí)。另一種廣泛使用的技術(shù)是基...
分類：電子測(cè)量 時(shí)間：2023-04-13 閱讀：826 關(guān)鍵詞：霍爾效應(yīng)電流檢測(cè)
