3期IPM模塊用于小型電動(dòng)交流電機(jī)
出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2025-03-07 17:53:34 | 245 次閱讀
特征
負(fù)載電源高達(dá)400V DC負(fù)載電流繼續(xù)2a邏輯供應(yīng)15V直流,當(dāng)前100mA最低電流/溫度電路的電源(比較器U2)5V DC邏輯供應(yīng)的一個(gè)董事會(huì)功率基于當(dāng)前輸出的分流器和比較器超過(guò)溫度閾值是80度。HVIC用于門(mén)駕駛和電壓防壓活躍的高界面,可以使用3.3V/5V邏輯(PWM信號(hào))在閾值電壓2.9V上,關(guān)閉閾值電壓0.8V針對(duì)低電磁干擾進(jìn)行了優(yōu)化1分鐘的隔離電壓額定值為1500VRMPCB尺寸53.34 x 52.55毫米溫度傳感輸出(VTS) - CN4 PIN 2-TO
引腳:VTS這表明具有模擬電壓輸出的V相HVIC溫度。 HVIC本身會(huì)產(chǎn)生一些功率損失,但主要是由MOSFET產(chǎn)生的熱量會(huì)升高HVIC的溫度。比較器U2B用于過(guò)度溫度檢測(cè)。當(dāng)溫度低于80度時(shí),在正常條件下的輸出量很高,并且在過(guò)度溫度的條件發(fā)生過(guò)度時(shí)會(huì)降低。過(guò)度溫度的閾值為80 o C。
信號(hào)輸入引腳
引腳:在(ul),(vl),(wl),(uh),(vh),in(wh)中這些引腳控制MOSFET的操作。這些引腳通過(guò)電壓輸入信號(hào)激活。端子內(nèi)部連接到Schmitt觸發(fā)電路。這些引腳的信號(hào)邏輯很高。當(dāng)將足夠的邏輯電壓應(yīng)用于相關(guān)的輸入引腳時(shí),MOSFET打開(kāi)。每個(gè)輸入的接線需要短,以保護(hù)模塊免受噪聲影響。RC濾波器用于減輕信號(hào)振蕩或任何痕跡可能拾取輸入信號(hào)的噪聲。
操作表輸入信號(hào)
HIN 0,LIN 0 =輸出Z兩個(gè)MOSFET關(guān)閉Hin 0,lin 1 =輸出0低側(cè)MOSFET ONHin 1,Lin 0 =輸出VDC高側(cè)MOSFET ONhin 1,lin 1 =禁止拍攝最小脈沖寬度(信號(hào)輸入)
HVIC內(nèi)部有90 ns時(shí)間常數(shù)的輸入噪聲過(guò)濾器。它篩選出比濾波器時(shí)間常數(shù)窄的脈動(dòng)。電位變速器和其他電路的額外傳播延遲,再加上柵極充電時(shí)間,可以防止SPM 5產(chǎn)品對(duì)輸入脈沖的響應(yīng)較窄,而不是?120 ns。柵極信號(hào)輸入具有500kΩ內(nèi)下拉電阻的高度高。
FSB50550AT是一種基于快速恢復(fù)MOSFET(FRFET)技術(shù)作為小型電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用(例如風(fēng)扇和泵)的緊湊型逆變器解決方案的高級(jí)電源模塊。 FSB50550AT包含六個(gè)FRFET MOSFET,三個(gè)帶有溫度傳感的半橋閘門(mén)驅(qū)動(dòng)器HVIC,以及一個(gè)緊湊的包裝中的三個(gè)Bootstrap Diodes,完全隔離并優(yōu)化了熱性能。 FSB50550AT通過(guò)優(yōu)化開(kāi)關(guān)速度和降低寄生電感來(lái)具有低電磁干擾(EMI)特性。由于FSB50550AT將MOSFET用作電源開(kāi)關(guān),因此與基于IGBT的電源模塊相比,它提供了更多的堅(jiān)固性和更大的安全操作區(qū)域(SOA)。 FSB50550AT是緊湊而可靠的逆變器設(shè)計(jì)的正確解決方案,其中裝配空間受到限制。
連接
CN1:引腳1 = PWM U-HIGH,PIN 2 = PWM U-low,PIN 3 = PWM V-HIGH,PIN 4 = PWM V-LOW,PIN 5 = PWM W-WIGH,PIN 6 = PWM W-W-w-low,PIN 7 = GNDCN2:3相機(jī),引腳1 =相位= w,pin 2 =階段V,引腳3 =相-UCN3:引腳1 =電機(jī)供應(yīng)400V DC,PIN 2 = GNDCN4:引腳1 = VCC 5V,引腳2 = to-ntc out,pin 3 =電流/故障,引腳4 = GNDCN5:引腳1,2 = VDD 15V,引腳3,4 = GNDD1:邏輯供應(yīng)的功率LED示意圖
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