12V-3.5A非同步降壓轉(zhuǎn)換器電路
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2024-05-07 16:24:12 | 572 次閱讀
電路分析
圖1所示為示意圖。該電路的核心是 TPS54332DDA 芯片1。根據(jù)數(shù)據(jù)表:“TPS54332 是一款 28V、3.5A 降壓轉(zhuǎn)換器,具有集成高側(cè) N 溝道 MOSFET。為了提高線路和負(fù)載瞬態(tài)期間的性能,該器件實(shí)現(xiàn)了恒定頻率電流模式控制,從而減少了輸出電容并簡化了外部頻率補(bǔ)償設(shè)計(jì)。TPS54332 的預(yù)設(shè)開關(guān)頻率為 1 MHz。
圖 1:14-28V 至 12V-3.5A 1MHz DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器原理圖TPS54332 需要 3.5V 的最小輸入電壓才能正常運(yùn)行。EN 引腳具有一個(gè)內(nèi)部上拉電流源,可用于通過兩個(gè)外部電阻調(diào)節(jié)輸入電壓欠壓鎖定 (UVLO)。此外,當(dāng) EN 引腳懸空時(shí),上拉電流為器件提供了默認(rèn)運(yùn)行條件。不開關(guān)且無負(fù)載時(shí),工作電流通常為 82 μA。當(dāng)器件禁用時(shí),電源電流通常為 1 μA。集成的 80mΩ 高側(cè) MOSFET 可實(shí)現(xiàn)連續(xù)輸出電流高達(dá) 3.5A 的高效電源設(shè)計(jì)。
TPS54332 通過集成啟動(dòng)充電二極管減少了外部組件數(shù)量。集成高側(cè) MOSFET 的偏置電壓由 BOOT 至 PH 引腳上的外部電容器提供。UVLO 電路監(jiān)視啟動(dòng)電容器電壓,并在電壓低于通常為 2.1V 的預(yù)設(shè)閾值時(shí)關(guān)閉高側(cè) MOSFET。輸出電壓可以降壓至與參考電壓一樣低。通過添加外部電容器,TPS54332 的慢啟動(dòng)時(shí)間可以調(diào)節(jié),從而實(shí)現(xiàn)靈活的輸出濾波器選擇。
為了提高輕負(fù)載條件下的效率,當(dāng)峰值電感器電流降至 160 mA 以下時(shí),TPS54332 通常會(huì)進(jìn)入特殊的脈沖跳躍經(jīng)濟(jì)模式。頻率折返可降低啟動(dòng)和過流條件下的開關(guān)頻率,以幫助控制電感器電流。熱關(guān)斷在故障情況下提供了額外的保護(hù)?!?br> C5 和 C6 穩(wěn)定(尤其是在浪涌電流消耗時(shí))轉(zhuǎn)換器并降低輸入噪聲。R2 和 R3 的分壓器確保電壓電平保持在 1.4 至 6V 之間,以保證控制器在輸入電壓范圍內(nèi)保持開啟狀態(tài)。EN 引腳可以懸空,但不建議這樣做,特別是在考慮使用 UVLO 功能時(shí)?! 4和C7為慢啟動(dòng)(軟啟動(dòng))元件,但C7的值不應(yīng)高于27nF。C1 是 100nF 自舉電容。D1、L1、C2、C3 和 C4 是降壓轉(zhuǎn)換器組件,用于穩(wěn)定輸出電壓和電流。R1 和 R5 是定義輸出電壓電平的反饋電阻器,但是,您可以使用以下公式重新計(jì)算這些值并使用所需的電阻器,其中 R6、C8 和 C9 是誤差放大器組件:


PCB布局是此類高頻、大電流設(shè)計(jì)中最重要的因素。圖 2 應(yīng)該讓您了解如何使用電源層而不是走線來連接高電流 PCB 網(wǎng)絡(luò)。此外,必須避免電源層或任何軌道中的任何環(huán)路。在降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中,D1 二極管和 C6 必須盡可能靠近控制器放置。同樣,C2 應(yīng)盡可能靠近電感。
正確接地是另一個(gè)改變游戲規(guī)則的設(shè)計(jì)點(diǎn)。底層幾乎是實(shí)心銅平面(藍(lán)色),并分配給地面以減少接地路徑的長度和阻抗。頂層(紅色)的空白區(qū)域也已被地面覆蓋,但遵循星-地-布局(無接地環(huán)路)規(guī)則。該技術(shù)可確保低 EMI(發(fā)射)和較低的輸出噪聲。
我放置了一些過孔,以進(jìn)一步減小環(huán)路尺寸和接地路徑的阻抗??刂破飨路降?VIA 更大,因?yàn)樾酒路降碾娏骱芨?,而且它們還有助于通過銅層散熱。圖3所示為該板的裝配圖。
圖 3:14-28V 至 12V-3.5A 1MHz DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器裝配圖上一篇:太陽能電池板中的旁路二極管
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